其中最大的關(guān)鍵環(huán)節(jié)是有機(jī)化學(xué)沉銅前的PTFE活化預(yù)處理，二氧化硅等離子體蝕刻設(shè)備也是特別重要的一步。使用聚四氟乙烯聚合物在活化處理前化學(xué)沉淀銅的方法有很多，但歸納起來(lái)，才能保證產(chǎn)品質(zhì)量并適合批量生產(chǎn)，主要有以下兩種方法:(1)有機(jī)化學(xué)處理:金屬鈉與萘在非水溶液(如四氫呋喃或己醇二甲醚)中發(fā)生反應(yīng)，形成萘鈉絡(luò)合離子。萘鈉處理溶液可以腐蝕孔內(nèi)PTFE表面分子，進(jìn)而達(dá)到潤(rùn)濕孔的目的。

電子在向表面清洗區(qū)傳遞的過(guò)程中，二氧化硅plasma表面活化與吸附在被清洗表面的污染物分子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致污染物分子分解，產(chǎn)生活性自由基，從而觸發(fā)污染物分子的進(jìn)一步活化反應(yīng)。此外，低質(zhì)量的電子比離子跑得快，所以它們比離子先到達(dá)表面，導(dǎo)致表面帶負(fù)電荷，引發(fā)進(jìn)一步的激活反應(yīng)。

2)激活鍵能和交聯(lián)等離子體中粒子的能量為0~20eV，二氧化硅等離子體蝕刻設(shè)備而聚合物中的大部分鍵能為0~10eV。因此，當(dāng)?shù)入x子體作用于固體表面時(shí)，可以破壞固體表面原有的化學(xué)鍵，等離子體中的自由基與這些化學(xué)鍵形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)，極大地激活了表面活性。3)新官能團(tuán)的形成——化學(xué)如果在放電氣體中引入反應(yīng)氣體，活化物質(zhì)的表面會(huì)發(fā)生復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)，并引入新的官能團(tuán)，如烴基、氨基、羧基等。

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二氧化硅plasma表面活化

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同時(shí),具有優(yōu)良的機(jī)械、電氣、高可靠性和靈活性,并廣泛應(yīng)用于航空航天、醫(yī)療、先進(jìn)的電子產(chǎn)品,etc.Just刮板也是一個(gè)PCB多層印制板近年來(lái),大量的應(yīng)用程序在歐洲,美國(guó),日本和其他發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū),其需求量占PCB多層板總需求量的10%以上。在中國(guó)，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步和設(shè)計(jì)理念的提高，未來(lái)對(duì)復(fù)合板市場(chǎng)的需求將迅速增長(zhǎng)。同時(shí)，層壓技術(shù)也是鼓勵(lì)中國(guó)PCB多層膜發(fā)展的關(guān)鍵方向之一。

二氧化硅plasma表面活化

盡量使用地平面，二氧化硅等離子體蝕刻設(shè)備使用地平面的信號(hào)線與不使用地平面的信號(hào)線相比，會(huì)得到15 ~ 20dB的衰減。對(duì)高頻信號(hào)和敏感信號(hào)進(jìn)行地面封裝處理，采用地面封裝技術(shù)在雙面板上會(huì)獲得10 ~ 15dB的衰減。使用平衡線、屏蔽線或同軸線。對(duì)干擾信號(hào)線和敏感信號(hào)線進(jìn)行濾波。通過(guò)設(shè)置合理的層數(shù)和布線，設(shè)置合理的布線層數(shù)和布線間距，減小并行信號(hào)長(zhǎng)度，縮短信號(hào)層與平面層之間的間距，可以有效地減少串?dāng)_。

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