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　　但對(duì)于撓性印制電路板和剛-撓性印制電路板去除鉆污的處理上，遼寧感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕由于材料的特性不同，若采用上述化學(xué)處理法進(jìn)行，其效(果)是不理想的，而采用等離子體去鉆污和凹蝕，可獲得孔壁較好的粗糙度，有利于孔金屬化電鍍，并同時(shí)具有“三維”凹蝕的連接特性?！　?3) 碳化物去除　 等離子處理法，不但在各類板料的鉆污處理方面效(果)明(顯)，而且在復(fù)合樹(shù)脂材料和微小孔除鉆污方面更顯示出其優(yōu)越性。

由濕法清洗后和等離子體處理后的RHEED圖像，等離子刻蝕機(jī) 溫度ch我們發(fā)現(xiàn)濕法處理SiC表面呈點(diǎn)伏狀，這表明經(jīng)濕法處理的SiC表面不平整，有局部的突出。而經(jīng)過(guò)等離子處理后的RHEED圖像成條紋狀，這表明表面非常平整。 經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理的SiC表面存在的主要污染物為碳和氧。這些污染物在低溫條件下就可以與H原子發(fā)生反應(yīng)，以CH、和H2O的形式從表面去除掉。經(jīng)過(guò)等離子體處理后表面的氧的含量比傳統(tǒng)濕法清洗的表面氧含量顯著降低。

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針板式結(jié)構(gòu)的器壁為石英玻璃管，內(nèi)徑為10mm，上電極是不銹鋼空心管，下電極是帶有直徑為1 mm 孔徑的銅質(zhì)篩板，上、下電極間距為10 mm；線筒式電極結(jié)構(gòu)，中心電暈線（內(nèi)電極）為直徑3 mm的銅電極，兩端用四氟套管絕緣，筒式電極（外電極)為長(zhǎng)300 mm、內(nèi)徑25mm的不銹鋼圓筒，反應(yīng)器的有效放電長(zhǎng)度為 mm。plasma等離子體反應(yīng)器結(jié)構(gòu)對(duì)CO2氧化CH4反應(yīng)的影響見(jiàn)表4-1。

PDMS 微流控系統(tǒng)等離子處理的 PDMS 聚二甲基硅氧烷（簡(jiǎn)稱 PDMS）是一種非常常見(jiàn)且廣泛使用的有機(jī)硅基聚合物。所有有機(jī)硅都具有重復(fù)的硅氧烷單元，每個(gè)單元由一個(gè) Si-O 基團(tuán)組成。許多側(cè)基可以連接到硅原子上。對(duì)于 PDMS，這些側(cè)基是甲基 CH3。聚合物可以與各種鏈端結(jié)合。更常見(jiàn)的是三甲基硅氧基Si-SH3。

等離子清洗、刻蝕產(chǎn)生 plasma清洗裝置是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電磁場(chǎng)，用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體越來(lái)越稀薄，分子問(wèn)距及分子或離子的白由運(yùn)動(dòng)距離也越來(lái)越長(zhǎng)，受磁場(chǎng)作用，發(fā)生碰撞而形成等離子體，同時(shí)會(huì)發(fā)生輝光。等離子體在電磁場(chǎng)內(nèi)空間運(yùn)動(dòng)，并轟擊被處理物體表面，從而達(dá)到表面處理、清洗和刻蝕的效果。

目前，我公司經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)，選擇不同型號(hào)的油墨及粘度，調(diào)整絲印的壓力等，基本上解決了過(guò)孔空洞和不平整，已采用此工藝批量生產(chǎn)。。pcb板 真空等離子設(shè)備去除表面材料多晶硅雜質(zhì)膠： 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法刻蝕技術(shù)鑒于其固有的局限性已逐漸限制了其發(fā)展，已不能滿足VLSI微米甚至納米線材的加工要求。

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等離子體特有的清洗過(guò)程主要是基于等離子體濺射和刻蝕所帶來(lái)的物理和化學(xué)變化。 物理濺射的過(guò)程中，等離子刻蝕機(jī) 溫度ch等離子體中高能量離子脈沖式的表面轟擊會(huì)導(dǎo)致表面原子發(fā)生位移，在某些情況下，還會(huì)造成次表層上原子的移位，因此物理濺射沒(méi)有選擇性。在化學(xué)刻蝕的過(guò)程中，等離子體中的活性基團(tuán)和表面原子，分子發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生的揮發(fā)性物質(zhì)可以通過(guò)泵抽走。