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技術(shù)參數(shù) 型號 CPC-A CPC-B CPC-A-13.56 CPC-B-13.56 艙體尺寸 300XΦ100mm 300XΦ150mm 300XΦ100mm 300XΦ150mm 艙體容積 2.6L 5.2L 2.6L 5.2L 射頻電源 40KHz 13.56MHz 匹配器 自動匹配 自動匹配 射頻功率 10-200W無極可調(diào) 10-150W無極可調(diào) 電 源 220V 50/60HZ 電 流 1.2A 時(shí)間設(shè)定 1-99分59秒 氣體穩(wěn)定時(shí)間 1分鐘 真空度 100pa以內(nèi) 激發(fā)方式 電容式 產(chǎn)品尺寸 LxWxH 550x520x285mm 包裝尺寸 LxWxH 690x630x450mm 整機(jī)重量 15Kg 20Kg 18Kg 25Kg。

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勵(lì)磁（包括旋轉(zhuǎn)、振動和電子勵(lì)磁）：e + A2 → A * 2 + e解離附著：e + A2 → A- + A + + e解離：e + A2 → 2A + e解離電離：e + A2 → A ++ A + 2e組成：e + A + → A + hv重粒子間的非彈性碰撞反應(yīng)：重粒子間發(fā)生非彈性碰撞，分子間、原子間、反應(yīng)性基團(tuán)-離子間發(fā)生，重粒子間反應(yīng)可分為離子型分子反應(yīng)和反應(yīng)性基團(tuán)-分子反應(yīng)。

采用等離子技術(shù)對剛撓結(jié)合印制電路板進(jìn)行去污和蝕刻處理后，進(jìn)行直接電鍍，然后對金屬化孔進(jìn)行金相分析和熱應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，結(jié)果為GJB962A-32，完全符合標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)。無論是干式墻還是濕式，都可以根據(jù)系統(tǒng)主要材料的特性選擇合適的方法來達(dá)到剛撓結(jié)合主板的去鉆和凹刻的目的。。

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對于III-V化合物，IMEC(微電子研究中心，成員包括Intel公司、IBM公司、臺積電公司、三星公司等半導(dǎo)體業(yè)界巨頭)很早以前已經(jīng)宣布成功在等離子體蝕刻300mm(22nm)晶圓上整合磷化錮和砷化錮家，開發(fā)出 FinFET化合物半導(dǎo)體。

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結(jié)果是 PET 和玻璃微纖維的冷氧等離子清洗劑處理提高了纖維的潤濕性，湖北rtr型真空等離子體噴涂設(shè)備供應(yīng)在纖維和增強(qiáng)基體之間提供了更好的附著力，并使 PET 和玻璃纖維之間的接觸角降低了約 60%。 .每個(gè)。 % 和 25%。最后，制備玻璃纖維增??強(qiáng) PET 和石灰基砂漿增強(qiáng)水泥漿樣品，并在混合和固化 28 天后進(jìn)行 4 點(diǎn)彎曲試驗(yàn)。

摩擦層和阻隔層：某些原料在酯和聚氨酯等聚合物的表面層具有很大的摩擦。電漿涂層摩擦阻力小，湖北rtr型真空等離子體噴涂設(shè)備供應(yīng)可使生物技術(shù)涂層表面更光滑。等離子體涂層也能產(chǎn)生致密的阻隔層，使液體或氣泡不能滲入生物技術(shù)。。有效地處理芯片和封裝基片，可有效地提高基片表面活性，大大提高結(jié)合強(qiáng)度，減少芯片和基片的分層，改善導(dǎo)熱性能，提高集成電路的可靠性、穩(wěn)定性，延長產(chǎn)品的使用壽命。