等離子體聚合介質(zhì)薄膜可以保護(hù)電子元件，采用等離子體沉積導(dǎo)電膜技術(shù)保護(hù)電子線路和設(shè)備不受靜電荷積累造成的損壞，等離子體沉積薄膜技術(shù)還可以制作電容器元件?？蓮V泛應(yīng)用于電子工業(yè)，化學(xué)工業(yè)，光學(xué)等領(lǐng)域。
等離子體積硅化合物，使用SiH4+N2O(或Si(OC2H4)+O2)制造SiOxHy?？諝鈮毫?~5托(1托≈133帕)，功率為13.5MHz。SiH4+SiH3+N2用于氮化硅沉，氣溫為300℃，沉積速率為180埃/分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反應(yīng)劑得SixC1+x：H，xhttps://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/denglizibiaomianchuli20.png是Si/Si+C比例。硬度超過(guò)2500千克/毫米。
利用等離子體在多孔基片上沉積一層薄聚合膜，制成選擇性滲透膜和反滲透膜，可用于分離混合物中的氣體，分離離子和水。還可結(jié)合超薄膜層，以適應(yīng)不同的選擇性，如分子尺寸、可溶性、離子親合性、擴(kuò)散性等。采用常規(guī)的方法，在碳酸鹽-硅共聚物基底上沉積0.5毫米薄膜，其氫與甲烷的滲透比為0.85，甲烷的滲透率比氫的高。當(dāng)?shù)入x子體在基片上沉積苯甲氰單體時(shí)，其比值增加到33，分離效率大大提高。反滲透膜可用于海水的脫鹽處理，當(dāng)水流量低于某一閾值時(shí)，排鹽效果較好。其聚合膜具有較好的抗?jié)B透性能，如烯烴族、雜芳香族和芳香胺等。
采用等離子沉積膜技術(shù)制備的薄膜可用于光學(xué)元件，如消反射膜、防潮膜、抗磨損膜等。利用等離子體可在集成光學(xué)中根據(jù)要求的折射率沉積上穩(wěn)定的薄膜，使其與光路中的各個(gè)元件連接。這類薄膜每厘米的光損失為0.04分貝。