一種來(lái)自空間的非均勻性，親水性聚合物作用例如密度、溫度、磁場(chǎng)的梯度等，這會(huì)引起漂移，有可能激發(fā)起不穩(wěn)定性。另一種來(lái)自速度空間的不均勻性，如速度、溫度、壓力的各向異性。另外，如波和波相互作用等，也可能引起微觀不穩(wěn)定性?？傊?，偏離熱平衡態(tài)的等離子體具有多余的自由能，必然要把它釋放出來(lái)以趨向平衡態(tài)。自由能的釋放就有可能驅(qū)動(dòng)微觀不穩(wěn)定性。  有微觀不穩(wěn)定性的等離子體的特征是出現(xiàn)不斷增長(zhǎng)的漲落現(xiàn)象。

等離子清洗機(jī)外置離心泵，親水性聚氨酯和sbr運(yùn)行的清潔腔內(nèi)的等離子體突然沖刷干凈表面，短時(shí)間的清洗可使(機(jī)內(nèi))污染物(成品)全部清潔干凈，同時(shí)等離子體被離心泵抽走，潔凈度達(dá)到分子水平。等離子清洗機(jī)不僅要有超凈效果，還要根據(jù)需要改變材料表面的性能。等離子體作用于材料表面，重新結(jié)合表面分子的化學(xué)鍵，形成新的表面特征。。

氧氣作為氣體參與反應(yīng)發(fā)生氧化反應(yīng)，親水性聚合物作用材料表面的有機(jī)物被氧氣電離產(chǎn)生的氧離子氧化生成二氧化碳和水。　　非反應(yīng)性氣體電離后主要靠離子的物理轟擊作用，去除污染物，有些氣體在清洗的同時(shí)還可以使材料表面性質(zhì)發(fā)生變化，例如氮?dú)獾入x子可以改善金屬材料的硬度和耐磨性。

采用低溫等離子處理器對(duì)亞麻布紡織物做好處理，親水性聚合物作用經(jīng)熱水浸泡后，紡織物印染特性良好，不影響紡織物的力學(xué)性能。低溫等離子處理器處理能提高羊毛紡織物的均勻性和上色特性。毛染液經(jīng)空氣等離子體處理后，毛染量和廢水中鹵代污染物均減少。低溫等離子處理器可以提高聚酯的染色牢度。采用NH3等離子體處理聚酰胺纖維，再用酸性染料上色，可提高其色牢度和著色率。。

親水性聚合物作用

隨著消費(fèi)者對(duì)塑料制品要求的提高，塑料制品的多樣化和快速變化成為未來(lái)趨勢(shì)，對(duì)工藝的要求也越來(lái)越高。等離子體發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，等離子體已廣泛應(yīng)用于塑料、橡膠等行業(yè)，具體表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。一、增加油墨粘度，提高印刷質(zhì)量等離子技術(shù)用于移印、絲網(wǎng)印刷、膠印等常用印刷技術(shù)。對(duì)于難以印刷的材料表層，如聚丙烯、聚乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、玻璃、金屬等，只有采用等離子預(yù)處理技術(shù)，才能使印刷油墨長(zhǎng)期無(wú)溶劑，粘結(jié)牢固。

待處理物體；金屬、半導(dǎo)體、氧化物、高分子材料（聚丙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯、聚酰胺、聚酯、環(huán)氧樹(shù)脂、其他聚合物等）都可以用等離子處理； (6)使用等離子清洗時(shí)可能會(huì)改變材料本身的表面性能，如提高表面的潤(rùn)濕性和提高薄膜的附著力，同時(shí)去污。 3.1 等離子灰化表面有機(jī)層如下圖所示，化學(xué)沖擊作用于基材表面。在真空和瞬時(shí)高溫下，污染物會(huì)部分蒸發(fā)，撞擊會(huì)粉碎污染物。用于高能離子和真空抽屜。

當(dāng)硬掩模的有效高度不夠時(shí)，硅鍺缺陷也會(huì)在頂部多晶硅上生長(zhǎng)，因此控制FinFET多晶硅中的刻蝕輪廓形貌尤為重要。作為三維晶體管，刻蝕多晶硅必須考慮溝道因素，鰭片本身是體硅材料。等離子體表面處理器蝕刻多晶硅時(shí)，雖然有氧化硅保護(hù)，但仍需考慮鰭片本身?yè)p失。在刻蝕過(guò)程中，通常在距鰭片頂部200～300處切換到傳統(tǒng)的高選擇性HBr/O2步驟，需要較低的偏置功率。

正確地說(shuō)，過(guò)蝕刻過(guò)少會(huì)導(dǎo)致多晶硅柵極側(cè)壁底部的長(zhǎng)腿（FOOTING），過(guò)多過(guò)蝕刻會(huì)惡化頂部的頸縮效應(yīng)。等離子表面處理機(jī)的過(guò)刻蝕步驟采用HBR/O2刻蝕工藝，對(duì)柵控氧化硅具有高刻蝕選擇性，但仍容易造成硅通孔（PITTING）和硅損傷。 TSV的形成通常是由于主刻蝕步驟中的過(guò)度刻蝕、與柵控氧化硅的接觸、或HBR/O2工藝優(yōu)化不足導(dǎo)致刻蝕選擇性降低。

親水性聚氨酯和sbr

多晶硅柵極蝕刻在柵極氧化硅處停止，親水性聚合物作用因此在主蝕刻步驟中使用 CF4 氣體蝕刻摻雜硅的上半部分后，蝕刻聚碳酸酯柵極下半部分的剩余 20%。為了在等離子表面處理器中實(shí)現(xiàn)多晶硅蝕刻和門(mén)控氧化硅的高選擇性，必須使用 HBr / O2 氣體蝕刻。如前所述，HBr/O2對(duì)N型摻雜多晶硅的刻蝕速率比未摻雜多晶硅高20%，容易出現(xiàn)頸縮效應(yīng)，因此HBr/O2的過(guò)刻蝕量需要嚴(yán)格控制。去做吧。