GaCl3 和 AsCl3 都是高度揮發(fā)性的，PFCplasma刻蝕機但 AlCl3 的揮發(fā)性較低，會影響進一步的蝕刻。氟的用量會影響 InAIA 的蝕刻速率。增加含氟氣體的流速會顯著改變銦鋁砷和銦鎵砷的選擇性。使用 CHF3 和 BCl3 氣體的組合，或 CF4 和 BCl3 的選擇性，增加了一倍以上。壓力和高頻功率對兩種氣體組合蝕刻速率的影響：壓力越高，蝕刻速率越低。

根據等離子的產生機理，PFCplasma刻蝕機等離子清洗方式主要有直流等離子清洗、高頻等離子清洗、微波等離子清洗三種，在實際應用中必須根據具體情況進行選擇和使用。 等離子清洗法的優(yōu)點是采用等離子清洗，不污染環(huán)境，不需要清洗液，清洗效果好，清洗效率高。它還可以激活物體的表面并增加表面。提高潤濕性和附著力。加強。

在大型集成電路和分立器件行業(yè)，PFCplasma刻蝕機等離子清洗技術常用在以下幾個重要步驟： 1.用氧等離子體處理剝離和硅晶片以去除光刻膠?；旌想娐锋I合前的等離子清洗； 4. 5、粘接前等離子清洗； 6. 金屬化陶瓷管封蓋前等離子清洗；等離子清洗技術設備的可控性和重現性體現在設備使用中具有經濟、環(huán)保、高效、可靠性高、操作方便等優(yōu)點。

對于高檔藥盒、化妝品盒等產品，PFCplasma刻蝕機去除涂層的地方，只有UV涂層和少量的紙面涂層，一般廠家用普通膠水不容易貼上盒子，所以盒子的附著力不會太低。貼合和開膠條件比UV產品好，但貼合謀生的方法不能用于小盒產品，造成切割線工藝問題，成本會更高。刀。

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這是新的歐盟政策標準對 GaN 半導體產品在消費市場上的成功與電源適配器和音頻、電動汽車設計實驗室中 GaN 技術的更新和重啟以及數據中心的能源效率的結果。 GaN 技術可以有效地解決將功率密度預期與產品可靠性相結合的關鍵行業(yè)成就。到 2021 年，GaN 技術將進一步展示其在汽車、數據中心和消費電子產品等各種電力依賴市場中從早期采用到堅固支架的成功過渡。

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