由于被激發(fā)的自由基具有高能量，二氧化硅膜的附著力新的自由基很容易形成，新形成的自由基與表面分子結(jié)合后，變成不穩(wěn)定的高能??態(tài)，發(fā)生分解反應(yīng)，變成小分子后，很容易被喚醒，產(chǎn)生新的自由基。這個(gè)反應(yīng)過(guò)程可能繼續(xù)，最后分解成水和二氧化碳。簡(jiǎn)單的一類分子。其他情況下，自由基與物體表面分子結(jié)合時(shí)，會(huì)釋放出大量的結(jié)合能，是引發(fā)新的表面反應(yīng)的驅(qū)動(dòng)力，從而將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物體表面的物質(zhì)去除。
Zhou等人選擇了介質(zhì)阻擋放電的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)二氧化碳的重組CH4反應(yīng)。當(dāng)注入能量為87kW.h/(N?m3)時(shí)，二氧化硅膜的附著力甲烷轉(zhuǎn)化率為64%，二氧化碳轉(zhuǎn)化率為54%。加侖等、品昊等分別研究了DBD放電等離子體清掃器作用下CH4和二氧化碳的重組反應(yīng)，結(jié)果表明，重組反應(yīng)的主要產(chǎn)物是合成氣，只生成少量的碳?xì)浠衔?主要是C2H6)。而在DBD放電等離子體作用下，CH4和CO2復(fù)合反應(yīng)的反應(yīng)物轉(zhuǎn)化率較低，但反應(yīng)能耗較高。
其次，二氧化硅膜的附著力CH4的完全氧化產(chǎn)物為二氧化碳，部分氧化產(chǎn)物為C2烴，中間產(chǎn)物為CHx。顯然，這兩個(gè)反應(yīng)是相互可逆的。如果CH4與二氧化碳共活化，即二氧化碳的存在有利于CH4的部分氧化，而CH4的存在則會(huì)抑制二氧化碳的深度還原。綜合作用有利于生成C2烴類。
自由基如原子團(tuán)與物體表面的反應(yīng)自由基在等離子體中起著重要作用，二氧化硅膜的附著力因?yàn)檫@些自由基是電中性的，壽命長(zhǎng)，并且在等離子體中比離子更豐富。自由基的作用主要表現(xiàn)在化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中能量傳遞的“活化”。被激發(fā)的自由基具有很高的能量，因此它們與表面分子結(jié)合時(shí)往往會(huì)形成新的自由基。自由基也處于不穩(wěn)定的高能??狀態(tài)，發(fā)生分解反應(yīng)，變成小分子，同時(shí)產(chǎn)生新的自由基。這個(gè)反應(yīng)過(guò)程繼續(xù)進(jìn)行，最終可能分解成水、二氧化碳等。
二氧化硅膜的附著力
由于等離子體在電場(chǎng)下被加速，它在電場(chǎng)的作用下高速運(yùn)動(dòng)，并與物體表面發(fā)生物理碰撞。等離子體的能量足以去除各種污染物和氧氣。離子可以在體外將有機(jī)污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣。等離子清洗不需要其他原料，除非空氣能滿足要求，使用方便，干凈。同時(shí)，等離子不僅可以清洗，而且比超聲波清洗有很多優(yōu)點(diǎn)。表面，但更重要的是，可以提高表面活性。等離子體與物體表面之間的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生活性化學(xué)基團(tuán)。
在等離子體化學(xué)反應(yīng)中，起化學(xué)作用的粒子主要是陽(yáng)離子和自由基粒子。自由基在化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中的能量轉(zhuǎn)移活化（化學(xué)）作用，被激發(fā)的自由基具有更高的能量，與表面分子結(jié)合時(shí)，更容易形成新的自由基。新形成的自由基也處于不穩(wěn)定的高能??狀態(tài)，可能會(huì)引起分解反應(yīng)，生成新的自由基，同時(shí)變成小分子。該反應(yīng)過(guò)程繼續(xù)進(jìn)行并且可以分解成水和二氧化碳。一個(gè)簡(jiǎn)單的分子。
如果在接近大氣壓的高壓下放電，電子、離子和中性粒子激烈碰撞后會(huì)充分交換動(dòng)能，從而使等離子體達(dá)到熱平衡。
等離子體設(shè)備表面改性技術(shù)的特點(diǎn)是:它對(duì)原材料表面的影響只有幾百埃深，不會(huì)對(duì)原材料的性質(zhì)產(chǎn)生干擾，可以處理各種形狀的表面;它具有很強(qiáng)的殺菌作用。因此等離子體設(shè)備表面處理技術(shù)是生物醫(yī)用原材料技術(shù)。。等離子體發(fā)生器是一種含有大量電子的高能聚合態(tài)。一個(gè)離子。一個(gè)興奮atom.Molecules?；钴S的粒子，比如光子和自由基。用等離子體發(fā)生器處理材料可以引起材料表面的物理變化(如蝕刻)。濺射。注入。
二氧化硅與金之間的附著力
等離子體清洗在微電子封裝領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，二氧化硅膜的附著力等離子體清洗技術(shù)的成功應(yīng)用依賴于工藝參數(shù)的優(yōu)化，包括過(guò)程壓力、等離子激發(fā)頻率和功率、時(shí)間和工藝氣體類型、反應(yīng)腔室和電極的配置以及待清洗工件放置位置等。
適合批量處理，二氧化硅膜的附著力環(huán)保。要求不高。。
