等離子設(shè)備等離子體蝕刻工藝可靠性中的HCI指的是高能量的電子和空穴注入柵氧化層而引起器件性能退化。
注入時(shí)會(huì)產(chǎn)生界面態(tài)和氧化層陷阱電荷，造成氧化層的損傷，隨著損傷程度的加深，器件的電流電壓特性發(fā)生變化，當(dāng)器件參數(shù)的變化超過(guò)一定限度后，器件就會(huì)失效。
熱載流子效應(yīng)的抑制主要依靠選擇合適的源漏離子注入濃度和襯底注入濃度， 使用輕摻雜漏區(qū)（Lightly Doped Drain，LDD)方法能很好地抑制熱載流子效應(yīng)。
等離子設(shè)備等離子體相關(guān)工藝損傷后的柵極極氧化層，其 HCI 性能明顯惡化，這是因?yàn)樵诘入x子設(shè)備等離子體工藝過(guò)程中，柵氧中會(huì)流過(guò)一定的電流，這個(gè)充電電流會(huì)造成新的氧化層陷阱和界面態(tài)，當(dāng)熱載流子注入其中時(shí)更容易造成氧化層損傷。24789