由于具有高的能量密度和電子密度使得電弧放電可以在相對低的電場（通常500-5000Vm-1）下達到107-109Am-2的高電流密度。電弧的溫度可以達到5000-50000K。1.2等離子體炬技術(shù)人們已研制開發(fā)了各種各樣的等離子體炬。圖1示意性的畫出了兩種典型的等離子體炬構(gòu)型，等離子體化學與工藝 趙化橋pdf左側(cè)是使用金屬作為電極的，右側(cè)的是采用無電極的射頻等離子體。

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經(jīng)過等離子體清洗機處理芯片和封裝載板，等離子體化學與工藝 趙化橋pdf不僅能夠獲得超清潔的焊接外表，還能夠大大進步焊接外表的活性，有用防止虛焊，削減空泛，提高填料的邊際高度和包容性，提高封裝的機械強度，削減不同材料的熱膨脹系數(shù)在界面之間構(gòu)成的內(nèi)應剪切力，提高產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。。

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等離子體刻蝕設(shè)備中的靜電吸盤

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在等離子體蝕刻中，基于等離子體作用的物理蝕刻和基于活性的蝕刻同時發(fā)生。自由基作用的化學蝕刻。等離子蝕刻工藝從相對簡單的平板二極管技術(shù)開始，發(fā)展成為價值數(shù)百萬美元的組合腔室，配備多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外壁溫度控制器和薄膜特定設(shè)計。有多種過程控制傳感器可供選擇?？梢晕g刻的電介質(zhì)是二氧化硅和氮化硅。

而等離子表面處理機蝕刻后的特征尺寸測量值與目標值的差異，可以反饋到修整曲線的修正，以消除由于蝕刻腔體條件變化對特征尺寸的影響，稱之為后反饋(Feedback)。 多晶硅柵的特征尺寸均勻性決定了飽和電流的收斂程度。目前業(yè)界主流的多晶硅柵蝕刻機臺都配備了多區(qū)溫控靜電吸盤，通過控制晶片上不同區(qū)域的溫度，從而控制線條側(cè)壁上副產(chǎn)物的吸附，起到控制線條特征尺寸的目的。

等離子體化學與工藝 趙化橋pdf

等離子刻蝕是一種各向異性刻蝕工藝，等離子體化學與工藝 趙化橋pdf它保證了刻蝕圖案的準確性（精密度）、特定材料的選擇性以及刻蝕效果（效果）的均勻性。在等離子體蝕刻中，基于等離子體作用的物理蝕刻和基于反應性基團作用的化學蝕刻同時發(fā)生。等離子蝕刻工藝從相對簡單的平板二極管技術(shù)開始，發(fā)展成為價值數(shù)百萬美元的組合腔室，配備多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外壁溫度控制器和薄膜特定設(shè)計。有多種過程控制傳感器可供選擇?？梢晕g刻的電介質(zhì)是二氧化硅和氮化硅。