典型的應(yīng)用是形成保護(hù)涂層，一種智能化保護(hù)膜電暈處理裝置應(yīng)用于燃料容器、防劃傷表面、類似聚四氟乙烯(PTFE)材料的涂層、防水涂層等。主要特點：能使材料表面的分子鏈斷裂產(chǎn)生新的自由基、雙鍵等活性基團(tuán)，從而在過程中產(chǎn)生交聯(lián)、接枝等反應(yīng)；活性氣體可在材料表面聚合生成沉積層，將有效提高材料表面粘接、涂布、印刷的附著力。。電暈在光電領(lǐng)域的應(yīng)用相機(jī)模組：在COMS相機(jī)的生產(chǎn)過程中，涉及鏡頭清洗、電路焊接、封裝等工序。

本發(fā)明涉及一種通過對硅氧烷或聚氨酯透鏡進(jìn)行電流輝光放電（表面電暈處理設(shè)備電暈）處理在硅氧烷或聚氨酯透鏡上提供保護(hù)覆蓋層的方法，保護(hù)膜電暈機(jī)即在輝光放電期間首先在烴氣氛下處理透鏡，然后在氧氣氣氛下處理透鏡，從而增加透鏡表面的親水性。必須提供一種具有光學(xué)透明性的親水性表面膜該表面膜層不僅具有良好的潤濕性，而且一般情況下允許硅氧烷水凝膠接觸鏡在人眼內(nèi)長時間連續(xù)使用。

電暈聚合用于保護(hù)膜、光學(xué)材料、電子材料、分離膜、醫(yī)用材料等的表面改性已得到廣泛的研究。電暈表面處理器中的電暈聚合可用于制備導(dǎo)電聚合物薄膜，保護(hù)膜電暈機(jī)在電子器件和傳感器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景，還可用于制備光刻膠膜、分離膜、絕緣膜、光學(xué)材料的反射率和折射率控制、薄膜波導(dǎo)、生物醫(yī)用材料等質(zhì)膜。分離中研究最多的質(zhì)膜有氣體分離膜、滲透汽化膜和反滲透膜。

針對這一問題，一種智能化保護(hù)膜電暈處理裝置在實驗的基礎(chǔ)上提出了拋光工藝中硫酸銨拋光液濃度的兩種確定方法。當(dāng)硫酸銨研磨液濃度小于2.5wt%時，研磨電流密度顯著降低。定期測量電流值和研磨液溫度，判斷是否需要硫酸銨。其次，通過實驗得到一定溫度下磨削液用量與硫酸銨用量的關(guān)系，通過記錄磨削過程中磨削液用量，計算出硫酸銨磨削液濃度。前一種方法比較簡單，可用于一般工業(yè)生產(chǎn)；后一種方法適用于對拋光工藝效果要求較高的生產(chǎn)加工。

保護(hù)膜電暈機(jī)

與耗盡溶液相比，電暈刻蝕耗盡工藝的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在三個方面，即電暈表面處理的優(yōu)勢。電暈退鍍清洗機(jī)退鍍是一種環(huán)保工藝，沒有任何廢氣、廢液等污染物。與昂貴的耗盡解決方案相比，電暈處理器的耗盡只能消耗電能。單電暈表面處理器，每小時一次，大大降低了成本。電暈退鍍清洗機(jī)的退鍍是通過電暈輝光反應(yīng)保證高密度低溫電暈獲得更好的表面活化效果。清潔表面有機(jī)物、樹脂、灰塵、油污、雜質(zhì)等，增加表面能。

再來說說國內(nèi)的電暈（又稱電暈器），這是一種無損的表面處理設(shè)備。它利用能量轉(zhuǎn)換技術(shù)，在一定的真空負(fù)壓下，通過電能將氣體轉(zhuǎn)化為高活性氣體電暈，對固體樣品表面進(jìn)行輕柔洗滌，引起分子結(jié)構(gòu)變化，從而對樣品表面的有機(jī)污染物進(jìn)行超清潔。在極短的時間內(nèi)，通過外置真空泵將有機(jī)污染物完全抽走，其清潔能力可達(dá)分子級。在一定條件下，樣品的表面特性也可以改變。

和銅的形成氫化物可以很容易地從材料和反應(yīng)室表面除去。用H2氣體電暈或其它含H電暈刻蝕Au、Ag的原理相似，生成了能降低反應(yīng)勢能的金屬氫化物。超低溫刻蝕工藝所需的硬件設(shè)置與普通電暈表面處理器電感耦合電暈(ICP)刻蝕裝置非常相似，只需安裝液氦或液氮冷卻裝置，即可將硅片襯底溫度降至-℃。在以SF和O2為電暈氣源的前提下，還可以通過電子回旋共振(ECR)刻蝕深硅溝槽或高深寬比硅結(jié)構(gòu)。

這不僅降低了反應(yīng)粒子的濃度，還使電暈冷卻，降低甚至停止了反應(yīng)速率。1高頻感應(yīng)電暈發(fā)生器又稱高頻電暈炬，或射頻電暈炬。它利用無電極的電感耦合，將高頻電源的能量輸入到連續(xù)氣流中進(jìn)行高頻放電。2電弧電暈發(fā)生器又稱電弧電暈炬，或電暈噴槍，有時也稱電弧加熱器。是一種產(chǎn)生定向的能力&ldquo；低溫；電暈射流的放電裝置（約2000~20000開啟）。

一種智能化保護(hù)膜電暈處理裝置

該裝置一般可由真空室、真空泵、高頻電源、點擊器、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、工作傳動系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。常用的真空泵是旋轉(zhuǎn)油泵，保護(hù)膜電暈機(jī)高頻電源通常使用13.56MHz的無線電波。02-電暈器在大學(xué)實驗室的操作流程如下：（1）將待處理樣品放入真空室固定，啟動運行裝置，啟動排氣，使真空室真空度達(dá)到10Pa左右的標(biāo)準(zhǔn)真空度。一般排氣時間需要2min左右。（2）將電暈清洗氣體引入真空室，并保持其壓力在10Pa以內(nèi)。