在等離子體系統(tǒng)中,pdc-mg等離子蝕刻設(shè)備許多類(lèi)型的活性粒子會(huì)引起許多反應(yīng),因此在反應(yīng)過(guò)程中幾乎不可能操縱特別重要和決定性的粒子。在等離子體環(huán)境中,高能粒子可以破壞分子中的共價(jià)鍵。高能電子參與電子能量分布函數(shù)的尾部以及非平衡等離子體中存在的強(qiáng)局部電場(chǎng)可能完成新的化學(xué)反應(yīng)。 等離子體環(huán)境適用于許多化學(xué)反應(yīng)。產(chǎn)生特定反應(yīng)的能力主要取決于輸入過(guò)程參數(shù),例如氣體類(lèi)型、流速、壓力和輸入功率。邊界和基地之間也有各種影響。
,pdc-mg等離子清洗設(shè)備而其他的都是基于當(dāng)前駕駛理論的1/E模型。 E 模型也稱(chēng)為熱化學(xué)模型。該模型表明,TDDB在低電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫下發(fā)生的原因是電場(chǎng)促進(jìn)了電介質(zhì)原子鍵的熱擊穿,外加電場(chǎng)可以延長(zhǎng)極性分子鍵并使其在熱過(guò)程。會(huì)更高。電場(chǎng)的存在降低了破壞分子鍵所需的能量,因此降解速率隨電場(chǎng)呈指數(shù)增加。如果斷裂鍵或滲透點(diǎn)的局部密度足夠高,則形成從陽(yáng)極到陰極的導(dǎo)電通路,此時(shí)發(fā)生失效,對(duì)應(yīng)的時(shí)間就是失效時(shí)間。
此類(lèi)間隔物也稱(chēng)為氮化硅間隔物或氮化硅/氮化硅(氧化物SIN,pdc-mg等離子清洗設(shè)備ON)間隔物。 0.18M時(shí)代,這個(gè)氮化硅側(cè)壁的應(yīng)力太高了。如果它很大,飽和電流會(huì)降低,泄漏會(huì)增加。為了降低應(yīng)力,需要將沉積溫度提高到700℃,這增加了量產(chǎn)的熱成本,也增加了泄漏。所以在0.18M時(shí)代,選擇了ONO的側(cè)墻。
在防止脫膠方面,pdc-mg等離子清洗設(shè)備熱熔膠和其他優(yōu)質(zhì)粘合劑可以防止一定程度的脫膠。先不說(shuō)成本高,一旦脫膠,就有投訴和退貨的問(wèn)題。離子裝置發(fā)射的等離子體中粒子的能量一般在幾到幾十個(gè)電子伏特左右,大于高分子材料的結(jié)合能(幾到10個(gè)電子伏特),這是一種有機(jī)聚合物。新加入。但它遠(yuǎn)低于高能放射線,只包含材料表面,無(wú)磨損,不影響基體性能。
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表 4-2 堿土金屬氧化物催化劑對(duì)反應(yīng)的影響(單位:%) . 315.734 .4SrO / Y-Al2O324.619.366.216.334.2BaOr / Y-Al2O326.419.463.316.735.6 BaO負(fù)載量和催化劑燒成溫度對(duì)負(fù)載為5%時(shí)負(fù)載型堿金屬氧化物催化劑的催化活性是恒定的。 . BaO 負(fù)載增加,CH4 和 CO2 的轉(zhuǎn)化率出現(xiàn)峰形變化,在負(fù)載 10% 時(shí)達(dá)到峰值。
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