手機、筆記本電腦邊框油漆不易脫落，pe可以電暈處理后幾天有效外殼粘在一起。外殼不易漆掉，文字不易褪色，手機和筆記本鍵盤粘在一起，電腦鍵盤上的文字不易漆掉。等離子體清洗技術可以有效避免化學溶劑對材料性能的破壞。在清洗材料表面時，可引入各種活性官能團，增加纖維表面粗糙度，提高纖維表面自由能，有效增強樹脂與纖維之間的結(jié)合。利用纖維界面間的結(jié)合，提高了復合材料的綜合性能。

例如，電暈處理機是明火嗎濕法處理步驟簡單易實現(xiàn)，但處理結(jié)果含有C、O、F等污染物；高溫處理可有效去除C、O等污染物，但處理溫度有待進一步優(yōu)化，后續(xù)工藝兼容性差；等離子體處理可以有效去除O、F等污染物，但處理溫度和時間不當會對表面帶來離子損傷，重構(gòu)SiC表面。

等離子體用于化學反應時，電暈處理機是明火嗎一般采用非平衡低溫等離子體輝光放電。血漿中有更多的活性。由于大多數(shù)活性物種滲透力很小，幾乎僅限于在材料表面反應，使材料整體不受影響，短時間內(nèi)可有效改變材料表面性質(zhì)。表面活化改性主要有等離子體聚合和等離子體處理兩種。這種差異取決于所用氣體的類型。有聚合氣體的稱為等離子體聚合，有非聚合氣體的稱為等離子體處理。在不可聚合氣體中，化學活性或非活性組分會使反應產(chǎn)生很大差異。

二、影響清洗效果的主要因素1.電極對等離子體清洗效果的影響：電極設計對等離子體清洗效果有顯著影響，電暈處理機是明火嗎包括電極材料、布局和尺寸等因素。對于內(nèi)部電極等離子體清洗系統(tǒng)，由于電極暴露在等離子體中，某些材料的電極會被某些等離子體刻蝕或濺射，造成不必要的污染和電極尺寸的變化，較小的電極間距可以將等離子體限制在較窄的區(qū)域內(nèi)，從而獲得較高密度的等離子體，達到較快的清洗速度。

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相比較而言，等離子體設備干法刻蝕中氮化硅對金屬硅化物的選擇性比小于濕法刻蝕。通過控制工藝時間來控制刻蝕量，可以控制硅化物損傷。等離子設備應力附近蝕刻越多，金屬硅化物損傷越嚴重，金屬硅化物的電阻越高。另一方面，由于側(cè)壁被完全或部分移除，降低了后續(xù)填充的長寬比，提高了接觸過孔停止層和層間介質(zhì)層的填充性能。。

這會使處理過的材料上鏈斷裂，產(chǎn)生交聯(lián)，從而使材料強化。離子轟擊：等離子體電場中產(chǎn)生的離子以不同的能量和速度分布在聚合物表面，會引起刻蝕和濺射，從而清潔表面基底，有效降低分子量結(jié)構(gòu)。氣態(tài)激發(fā)：氣體的電離也意味著氣體中有許多被激發(fā)的物質(zhì)。這些激發(fā)態(tài)物質(zhì)能與表面反應生成羥基(-OH)、羰基(-C=O)、羧基（-COOH）或氨基(NHx)等官能團，這些官能團極性高，能改變表面的堿/酸相互作用。

（3）鏈轉(zhuǎn)移反應：H+C2H6&RARR；C2H5+H2(3-29)CH3+C2H6&RARR；C2H5+CH4(3-30)CH3+E*&Rarr；CH2+H(3-31)CH2+E*&Rarr；CH+H(3-32)CH+E*&RARR；C+H(3-33)（4）鏈終止反應：CH3+H&RARR；CH4(3-34)CH2+CH2&RARR；C2H4(3-35)CH3+CH&Rarr；C2H4(3-36)CH+CH&RARR；C2H2(3-37)低溫常壓下，純乙烷在等離子體作用下可脫氫生成乙炔；、乙烯、少量甲烷和積碳，但存在轉(zhuǎn)化率低、反應器壁積碳等問題。

拋光鈦片表面不存在氧化膜，但空氣中鈦片表面會迅速形成鈦氧化膜。射頻等離子體處理器等離子體腔中的氮氫等離子體（如-NH2、-NH、N等）會轟擊鈦表面，使氧化鈦鍵斷裂。同時，氫等離子體會使表面氧化鈦還原，表面部分純鈦暴露在等離子體氣氛中。高能氮氫等離子體通過與鈦的再鍵形成Ti-NH2、TiN或TiN、N-O等新鍵，由于H的還原也可能在表層形成Ti-OH鍵。

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