轉(zhuǎn)載請注明出處。。等離子表面處理器臺階高度對多晶硅柵極蝕刻的影響 等離子體表面處理器臺階高度對多晶硅柵極蝕刻的影響：地形對多晶硅柵極尺寸也有顯著影響。 （淺溝槽隔離的臺階高度表征了多晶硅生長前的晶圓表面形貌。由于爐多晶硅的平面生長，多晶硅刻蝕氣體正臺階高度（淺溝槽隔離氧化硅的頂面活性區(qū)）變厚多晶硅靠近淺溝槽隔離區(qū)，影響多晶硅柵極的側(cè)壁角。

因此，多晶硅刻蝕氣體多晶硅膜厚的不同就是柵側(cè)壁角的不同，柵側(cè)壁角的不同就是特征尺寸的不同。有源區(qū)的特征尺寸和淺溝槽隔離的臺階高度存在差異。淺溝槽隔離后的化學(xué)機械拋光在有源區(qū)加載不同的密度，導(dǎo)致不同的步驟。高度。這會影響蝕刻多晶硅時特征尺寸和角度的差異。不同有源多晶硅的高度與低于區(qū)域?qū)挾鹊呐_階高度之間的關(guān)系是柵極蝕刻時有源區(qū)的尺寸和臺階的高度。如果有源區(qū)的寬度不同，光板的多晶硅和表面形態(tài)的多晶硅就會暴露出來并被蝕刻掉。

等離子表面處理的失效時間主要受氣體種類、工藝參數(shù)、工藝材料化學(xué)成分、分子結(jié)構(gòu)、材料儲存環(huán)境等因素的影響。因此，多晶硅刻蝕氣體在一定的處理過程中，應(yīng)對材料表層進行設(shè)備處理，保持表層清潔，儲存溫度不能太高。圖層的適應(yīng)性較差。等離子表面處理設(shè)備中多晶硅柵極的雙圖案蝕刻：多晶硅圖案的定義需要嚴格控制線端（line-end）圖案以及線本身的特征尺寸。

等離子表面處理器多晶硅柵極蝕刻 等離子表面處理器多晶硅柵極蝕刻：隨著 CMOS 工藝擴展到 65 nm 以下的工藝節(jié)點，多晶硅刻蝕氣體等離子表面處理柵極的蝕刻制造面臨許多挑戰(zhàn)。多晶硅柵圖形作為控制溝道長度的重要工藝，與器件性能密切相關(guān)，影響著全身。摩爾定律將黃光圖案化技術(shù)從 248 nm 波長的光源工藝推廣到 193 nm 波長的光源工藝。這一轉(zhuǎn)變在 2012 年取得了成功，圖形分辨率為 30nm。

多晶硅刻蝕工藝的研究

但193nm光刻膠的化學(xué)成分與248nm光刻膠有很大不同，在惡劣的等離子環(huán)境下其抗蝕刻性較差。減少需要用于保護曝光工藝窗口的 193nm 光刻膠的厚度。在這種情況下，控制柵極圖案尺寸如特征尺寸、線寬均勻性、側(cè)壁角度、側(cè)壁形狀（凹痕、突起）、線寬粗糙度都是需要嚴格控制的工藝參數(shù)。..傳統(tǒng)多晶硅柵極等離子表面處理機的蝕刻所采用的無機硬掩模（通常為氮化硅）蝕刻方式，很容易出現(xiàn)柵極側(cè)壁粗糙的問題。

通過文獻的摻雜和鹵素氣體原子或分子的庫侖力來解釋。庫侖力，即N型摻雜磷或砷與化學(xué)吸附的鹵素氣體之間的相互吸引力，增加了摻雜多晶硅等離子表面處理機的蝕刻速率并引起頸縮現(xiàn)象。 Zhang 等人研究了 HBr / Cl2、HBr / O2、CF4 對N型摻雜多晶硅蝕刻速率的影響。 N型摻雜多晶硅和非摻雜多晶硅的CF4氣體蝕刻速率差異很小，在5%以內(nèi)。

正如我們之前所知，臭氧是一種淡藍色的氣體，具有特殊的氣味。它分布在地球周圍約30公里處，形成臭氧層。如您所知，臭氧層保護地球免受過多的紫外線傷害。輻照為地球上的生命創(chuàng)造了舒適的生活空間。除了高空臭氧，大雷雨過后，空氣總是很清新，帶著淡淡的青草香味，這就是臭氧的香味。另外，在樹林里、瀑布下、海灘上、河流里等，你可能會聞到這樣的味道，所以不要以為它散發(fā)出難聞的氣味，因為它被稱為“臭氧”。

在這種情況下，不僅要處理同種材料零件之間的相互粘附問題，還要解決不同材料零件之間相互粘附的問題，而傳統(tǒng)的等離子表面處理方法顯然是困難重重。滿足這個過程的要求。關(guān)于等離子表面處理的效果，在目前所有的表面處理方法中，氟化處理的效果是最好的，它可以賦予材料永久的附著力。但這種方法會產(chǎn)生大量有害氣體，而且處理尾氣的成本是大多數(shù)汽車制造商無法接受的。但令我們高興的是，等離子表面處理技術(shù)的出現(xiàn)徹底改變了塑料行業(yè)。

多晶硅刻蝕氣體

材料的晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶度、針孔缺陷等缺陷、氣體和固體分子的極性、氣體和固體之間可能發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)等因素都決定了材料的阻隔性能。..自由體積空隙的直徑與其滲透性之間存在相關(guān)性，多晶硅刻蝕氣體導(dǎo)致聚酯和共聚酯材料具有低滲透性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性和生物相容性。滲透性因材料而異，是指特定氣體通過滲透或擴散穿過該材料的能力。在包裝行業(yè)，滲透性是厚度和滲透的產(chǎn)物。人們對這個過程的理解仍然是經(jīng)驗性的。

因此，多晶硅刻蝕氣體提高C2烴的選擇性和C2烴的收率是研究的基礎(chǔ)。