當(dāng)光波（電磁波）入射到金屬與介質(zhì)的界面上時(shí)，電暈處理分子極性金屬表面的自由電子集體振蕩。如果電子的振蕩頻率與入射光波的頻率一致，就會(huì)發(fā)生共振。這時(shí)就形成了一種特殊的電磁模式：電磁場(chǎng)被限制在金屬表面的一個(gè)小范圍內(nèi)而增強(qiáng)。這種現(xiàn)象稱為表面等離激元現(xiàn)象。這種電磁場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)可以有效提高分子的熒光產(chǎn)生信號(hào)和原子的高次諧波產(chǎn)生效率，從而和分子的拉曼散射信號(hào)。在宏觀尺度上，這種現(xiàn)象表現(xiàn)為金屬晶體在特定波長(zhǎng)和特定狀態(tài)下透射率的大幅增加。

電暈清潔器（電暈清洗器），一種內(nèi)置式降溫電暈處理組件又稱電暈清洗器，或電暈表面治療儀，是一項(xiàng)全新的高科技技術(shù)，利用電暈達(dá)到常規(guī)清洗方法無(wú)法達(dá)到的效果。電暈是物質(zhì)的一種狀態(tài)，也叫物質(zhì)的第四態(tài)，它不屬于常見(jiàn)的固-液-氣三態(tài)。施加足夠的能量使氣體電離，就變成了電暈狀態(tài)。

電暈技術(shù)可以說(shuō)是一種新型環(huán)保技術(shù)，電暈處理分子極性它完全取代了傳統(tǒng)依靠化學(xué)物質(zhì)處理手機(jī)外殼的做法。1)IC或IC芯片是當(dāng)今復(fù)雜電子產(chǎn)品的基石。當(dāng)前的IC芯片包括印刷在晶片上并連接到其上的集成電路，電連接到IC芯片焊接到的印刷電路板上。IC芯片封裝還提供離開晶片的磁頭轉(zhuǎn)移，在某些情況下還提供圍繞晶片的引線框架。

目前電暈改善塑料結(jié)合性能的機(jī)理有：電暈處理使表面具有更高的活性和更大的表面能；（2）表面引入的極性基團(tuán)可與膠粘劑形成化學(xué)鍵；（3）由于電暈中高能電子的轟擊，電暈處理分子極性材料表面粗糙度增加；（4）電暈處理可以去除表面的弱邊界層，避免粘接后形成力學(xué)性能較差的弱邊界層。

一種內(nèi)置式降溫電暈處理組件

電暈處理后水滴在表面的接觸角很低，這是由于通過(guò)極性化學(xué)官能團(tuán)增加了表面能。這種能量被用來(lái)結(jié)合水分子，使水滴沿表面擴(kuò)散。這是一個(gè)親水或可濕的表面。因此，低的表面接觸角表明表面是可濕的。X射線光電子能譜(xps)和表面衍生技術(shù)被用來(lái)確定被所需化學(xué)基團(tuán)修飾的表面的百分比。例如，丙烯酰胺的表面聚合可以形成氨基。為了測(cè)定伯胺的量，可以用試劑對(duì)伯胺進(jìn)行選擇性氟化。

材料表面經(jīng)過(guò)合適的工藝條件處理后，材料表面形貌發(fā)生明顯變化，引入各種含氧官能團(tuán)，使表面由非極性、難粘轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水、易粘、親水，在不損傷表面、不造成涂層或涂層剝落的情況下，提高了粘附表面的外能。

1.前言目前，組裝技術(shù)的趨勢(shì)主要是SIP、BGA和CSP封裝，使半導(dǎo)體器件向模塊化、高集成度和小型化方向發(fā)展。在這樣的封裝組裝過(guò)程中，最大的問(wèn)題是粘結(jié)填料處的有機(jī)污染和電加熱過(guò)程中形成的氧化膜。由于粘接表面污染物的存在，降低了這些組件的粘接強(qiáng)度和封裝樹脂的灌封強(qiáng)度，直接影響了這些組件的組裝水平和繼續(xù)發(fā)展。為了提高這些部件的裝配能力，大家都在想方設(shè)法應(yīng)對(duì)。

電暈具有化學(xué)和物理特性，能與連接器組件材料表面肉眼看不見(jiàn)的有機(jī)物和雜質(zhì)反應(yīng)，形成清潔表面和活性基團(tuán)，增加金屬和聚合物的附著力，從而提高材料的抗拉伸性能。二、電氣性能指標(biāo)：連接器的主要電氣性能指標(biāo)是絕緣電阻、接觸電阻和電氣強(qiáng)度。絕緣子與導(dǎo)線密封體之間的附著力和可靠性以及電氣強(qiáng)度對(duì)連接器有很大影響。如果兩者之間的附著力不夠好，就會(huì)造成漏電，連接器的電氣強(qiáng)度也會(huì)大大降低。

一種內(nèi)置式降溫電暈處理組件

對(duì)于厚膜HIC來(lái)說(shuō)，電暈處理分子極性由于其工藝復(fù)雜且多，所以大部分厚膜HIC都受到氧化和有機(jī)污染的影響。離子清洗法可以改善鍵合界面的性能，提高鍵合質(zhì)量的完整性和可靠性。使用氬電暈清洗設(shè)備可以有效地去除芯片和基板表面的氧化物。電暈清洗設(shè)備工藝可去除襯底表面的氧化材料和有機(jī)物的污染可以提高芯片基板和電子器件鍵合區(qū)的穿透性和活力，有利于提高組件的鍵合強(qiáng)度，降低芯片基板與導(dǎo)電鍵合材料的接觸電阻。