Plasma清洗原理如下:
plasma清洗機(jī)的工作原理主要是利用等離子體中活化基團(tuán)的“活化作用”去除基底表面污染物的過程。plasma清洗機(jī)是通過在真空環(huán)境中操作的,氣體的釋放和抽離都可實(shí)現(xiàn)在短時(shí)間內(nèi)徹底轉(zhuǎn)移,清洗污染物的量級達(dá)到分子級。
plasma清洗通常包括以下過程:
(1)無機(jī)氣體被轟擊激發(fā)為電子、離子中性粒子等等離子態(tài)氣相物質(zhì)被吸附在固體表面。
(2)被吸附的等離子基團(tuán)與基底表面分子或原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成復(fù)合基團(tuán)分子,通過惰性氣體攜帶反應(yīng)殘余物脫離基底表面。
plasma清洗技術(shù)的特點(diǎn)是對基體沒有選擇性,可囊括金屬材料、絕緣體材料、甚至高分子有機(jī)物等。并可利用等離子體的各向異性實(shí)現(xiàn)對整體和局部結(jié)構(gòu)的清洗。
plasma清洗機(jī)原理圖
如上圖1所示,plasma清洗機(jī)的工作機(jī)制如下:在真空環(huán)境中提供電場,在電場的作用下,帶正電的電荷和電子等相互碰撞電離進(jìn)行輝光放電形成等離子體。電離產(chǎn)生的活性基團(tuán)攜帶巨大的動能,可以破壞材料表面的化學(xué)鍵及分子間作用力,與斷鍵的離子或獨(dú)立的分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在半導(dǎo)體工藝中,通過控制氧氣和氬氣的通量,使具有強(qiáng)氧化性的氧等離子體與硅片表面的殘留光刻膠發(fā)生氧化反應(yīng),生成氣相結(jié)合物脫離硅片表面,達(dá)到清潔表面的作用。當(dāng)?shù)入x子體具有很強(qiáng)的腐蝕性時(shí),可以很好地達(dá)到刻蝕材料表面的目的,且由于腐蝕性的等離子體都具有各向異性,其刻蝕效果也具有易控制、質(zhì)量高的特點(diǎn)。plasma清洗處理速度快,可達(dá)到每秒穿透幾個(gè)納米的厚度。對于只有原子層厚度的二維材料來說,plasma清洗機(jī)可以較好地清除其表面污染物。
plasma清洗材料表面有機(jī)物質(zhì)的原理如下:在真空的環(huán)境下,基底材料受到等離子體轟擊后,瞬間進(jìn)入高溫環(huán)境,基底表面有機(jī)物迅速蒸發(fā)或升華成氣相,快速被擊穿并通過抽真空帶出反應(yīng)腔。
plasma清洗除具有清潔功能外,還可根據(jù)需要改變特定材料表面的性能。其原理是通入等離子體,使基底表面的原子、分子的化學(xué)鍵發(fā)生斷裂、重組以形成新的化學(xué)組成的表面材料。