工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會(huì)被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達(dá)到清洗的目的和改善表面滲透和附著力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，二氧化硅等離子體清洗設(shè)備不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進(jìn)行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長，穿透性和滲透性強(qiáng)，可以用細(xì)管和盲孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理。

等離子體處理過程包括化學(xué)反應(yīng)和物理反應(yīng)?；瘜W(xué)過程:在化學(xué)等離子體過程中，二氧化硅plasma表面處理自由基與被清洗物體表面的元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)。這些反應(yīng)的產(chǎn)物是非常小的、易揮發(fā)的分子，可以用真空泵泵出。在有機(jī)清潔應(yīng)用中，主要的副產(chǎn)品通常包括水、一氧化碳和二氧化碳。基于化學(xué)反應(yīng)的等離子體清洗，清洗速度快，選擇性好，是去除有機(jī)污染物最有效的。缺點(diǎn)是氧化發(fā)生在表面。

顯然，二氧化硅plasma表面處理途徑3對于等離子體催化作用下CH4和CO2的轉(zhuǎn)化無疑是重要的。催化劑在等離子體中的活化主要依賴于與高能電子的碰撞。由于催化劑性質(zhì)不同，活性不同，對甲烷和二氧化碳的吸附和活化能力也不同。從以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，在同一等離子體的作用下，NiO/ Y-al2o3對甲烷和二氧化碳的吸附和活化能力很強(qiáng)，CH和二氧化碳的轉(zhuǎn)化率較高。相反，Co2O3/ Y-al2o3對甲烷的吸附和活化作用弱，CH4轉(zhuǎn)化率低。

大氣等離子清洗機(jī)可以去除表面看不見的有機(jī)污染物，二氧化硅等離子體清洗設(shè)備肉眼看不見的，工件表面的薄膜層。一次超細(xì)清洗可解決工件表面粘附問題。例如清洗時(shí)，工作氣體往往是氧氣，它被加速的電子轟擊成氧離子、自由基，氧化性極強(qiáng)。零件表面的污染物，如潤滑脂、助焊劑、光敏膜、脫模劑、沖床油等，很快就會(huì)被氧化成二氧化碳和水，通過真空泵排出，達(dá)到清洗表面的目的。低溫只觸及數(shù)據(jù)的表面，不影響數(shù)據(jù)主體的性質(zhì)。

二氧化硅等離子體清洗設(shè)備

最后，它會(huì)分解成像水和二氧化碳這樣的簡單分子。在其他情況下，當(dāng)自由基與表面分子結(jié)合時(shí)，它們會(huì)釋放大量的結(jié)合能，這些結(jié)合能反過來成為新的表面反應(yīng)的驅(qū)動(dòng)力，導(dǎo)致表面上的物質(zhì)被化學(xué)去除。

等離子體包括原子、分子、離子、電子和活性基團(tuán)，被激發(fā)的原子、分子和激活的自由基，這些粒子的能量和活度很高，這種能量足以摧毀幾乎所有的化學(xué)鍵，能與任何顯示物體外表產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，讓化學(xué)鍵被打開并與修飾過的原子結(jié)合等活性很高的物質(zhì)，數(shù)據(jù)表面的親水性得到了很大的提高。同時(shí),新化學(xué)反應(yīng)的石油和其他有機(jī)大分子表面的數(shù)據(jù)生成小分子氣體,如二氧化碳,水和其他氣態(tài)物質(zhì),由真空泵抽走,從而達(dá)到分子水平上清潔的表面數(shù)據(jù)。

大氣等離子清洗機(jī)在塑料行業(yè)中的應(yīng)用如何:隨著高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對產(chǎn)品使用的各種工藝的技術(shù)要求越來越高。等離子清洗機(jī)表面處理技術(shù)的出現(xiàn)，不僅提高了產(chǎn)品性能，提高了生產(chǎn)效率，而且達(dá)到了安全環(huán)保的效果。等離子清洗機(jī)的表面處理技術(shù)可應(yīng)用于材料科學(xué)、高分子科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)材料、微流體研究、微電子機(jī)械系統(tǒng)研究、光學(xué)、顯微鏡和牙科保健等領(lǐng)域。

通過等離子體處理N2、NH3、O2、SO2等可以改變聚合物材料的表面化學(xué)成分，引入-NH2、-OH、COOH、SO3H等新的官能團(tuán)。這些官能團(tuán)可使聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯等完全惰性基材變成官能團(tuán)材料，可改善表面極性、滲透性、粘結(jié)性、反應(yīng)性，大大提高其使用價(jià)值。與氧等離子體不同，低溫等離子體處理后，可將氟原子引入基板表面，使基板疏水。

二氧化硅等離子體清洗設(shè)備

形成裝置及影響因素?zé)岬入x子體一般是由常壓氣體電暈放電產(chǎn)生，二氧化硅plasma表面處理而冷等離子體是由低壓氣體輝光放電產(chǎn)生。熱等離子體設(shè)備[4]利用帶電體尖端(如刀或針尖和狹縫電極)引起電場不均勻，稱為電暈放電。電壓和頻率、電極間距、加工溫度和時(shí)間都影響電暈處理效果。隨著電源電壓和頻率的增加，處理強(qiáng)度高，處理效果好。但是，如果工頻過高或電極間隙過寬，則電極之間會(huì)發(fā)生過多的離子碰撞，造成不必要的能量損失。

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