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（包括親水性、疏水性、粘合性、阻燃性、耐腐蝕性、抗靜電性和生物相容性）。在冷等離子體發(fā)生器中，青海常壓等離子處理機(jī)批發(fā)電子能量通常在幾伏到幾十伏之間，高于聚合物中常用的結(jié)合能。因此，等離子體發(fā)生器可以在聚合物中產(chǎn)生足夠的能量以引起聚合物中各種化學(xué)鍵的破壞或重排。主要表現(xiàn)為聚合物分解、材料表面和外部氣體、單體和等離子體反應(yīng)。近年來(lái)，利用等離子發(fā)生器對(duì)醫(yī)用材料進(jìn)行改性已成為當(dāng)前等離子技術(shù)研究的熱點(diǎn)。

甲基丙烯酸羥乙酯和N-乙烯基吡咯烷酮等親水性單體可以通過(guò)等離子刻蝕機(jī)接枝堆疊或輻射方法沉積在PMMA表面。在靜態(tài)接觸實(shí)驗(yàn)中，青海常壓等離子處理機(jī)批發(fā)未經(jīng)處理的PMMA表面處理后的細(xì)胞損傷率為10-30%，而處理后的PMMA/HEMA復(fù)合材料表層的細(xì)胞損傷率僅為10%左右，而PMMA./HEMA復(fù)合材料只有約 10% 的表層損壞。 NVP復(fù)合表層的細(xì)胞損傷僅為10%。

第三代半導(dǎo)體誕生！是否有更大的增長(zhǎng)潛力？ -隨著等離子設(shè)備/等離子清洗市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體性能的需求不斷提高，青海常壓真空等離子表面處理機(jī)說(shuō)明書(shū)3代半導(dǎo)體等新型復(fù)合材料以其性能優(yōu)勢(shì)開(kāi)始出現(xiàn)，對(duì)于未來(lái)的產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)將是一個(gè)重要的增長(zhǎng)點(diǎn)觀點(diǎn)。與第一代（硅基）半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有更大的帶隙、更高的電導(dǎo)率和更高的熱導(dǎo)率。第3代半導(dǎo)體的帶隙約為1、2代半導(dǎo)體的3倍，具有更強(qiáng)大的高電壓和功率能力。

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通常有四種材料必須進(jìn)行刻蝕處理：硅（慘雜硅或非慘雜硅）、電介質(zhì)（如SiO2或SiN）、金屬（通常為鋁、銅）以及光刻膠。每種材料的化學(xué)性質(zhì)都各不相同。等離子體刻蝕為一種各向異性刻蝕工藝，可以確保刻蝕圖案的精確性、對(duì)特定材料的選擇性以及刻蝕效果的均勻性。等離子體刻蝕中，同時(shí)發(fā)生著基于等離子作用的物理刻蝕和基于活性基團(tuán)作用的化學(xué)刻蝕。

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