測得的缺陷形成率是施加到柵極氧化物的電壓的冪函數(shù)。因此，觸摸屏等離子體蝕刻機器故障時間與電壓的關(guān)系為TF = B0V-n (7-12)。如果氧化層足夠薄，缺陷形成率與氧化層厚度無關(guān)，但臨界缺陷密度會導(dǎo)致氧化層斷裂。它強烈依賴于氧化層。層厚度。對于low-k材料TDDB，也有對應(yīng)的root E模型。將不同模型的擬合曲線與同一組加速 TDDB 測試數(shù)據(jù)進行比較。

當(dāng)水滴放置在光滑的固體表面上時，觸摸屏等離子體蝕刻機器水滴在基材上擴散，完全濕潤時，接觸角接近于零。相反，如果潤濕是局部的，則接觸角可以平衡在 0 到 180 度之間。固體基質(zhì)的表面能對液體表面張力的影響越大，其潤濕性越高，接觸角越小。為了使液體與材料表面形成良好的結(jié)合，材料的液體張力應(yīng)大于約2-10 mN/m。此類高分子材料具有化學(xué)惰性、低摩擦系數(shù)、高耐磨性、抗穿刺性和抗撕裂性。

氧化鈦膜厚：0.400 μm 0.43 μm 0.47 μm 0.53 μm 0.58 μm 顏色 紫色 淺藍色 藍色 藍色 綠色 黃色 當(dāng)然，觸摸屏等離子體蝕刻也有氮化硅等其他層可以實現(xiàn)這種干涉效應(yīng)。還有氧化硅。 , 見下表。

該反應(yīng)可用下式表示。

觸摸屏等離子體蝕刻

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個產(chǎn)品 A 之間的耦合發(fā)生反應(yīng)。

觸摸屏等離子體蝕刻機器