等離子去膠工藝是半導(dǎo)體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業(yè)的重要清洗步驟。等離子去膠不僅操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔而且無劃痕、成本低、環(huán)保。
等離子去膠原理
干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除，在反應(yīng)氣體中加入氮氣或者氫氣可以提高去膠性能、加強對殘留物的去除。
等離子產(chǎn)生的原理是:給充入足夠的氧氣或者氬氣并且穩(wěn)定的真空條件下的腔體的電極施加射頻，使得氣體產(chǎn)生活性等離子體，以此，在物理、化學(xué)雙重作用下對清洗的部件如砷化鎵、氮化鎵等進行表面的轟擊，將表面要去掉的物質(zhì)變成了離子或者氣體，經(jīng)過了抽真空排出，而達到清洗目的。
物理等離子去膠過程:主要是物理作用對清洗物件進行轟擊達到去膠的目的，主要的氣體為氧氣、氬氣等，通過射頻產(chǎn)生氬離子，轟擊清洗物件，以獲得表面光滑的最大化，并且結(jié)果是親水性增大，如圖1所示。
圖一https://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png物理等離子清洗
化學(xué)等離子清洗過程:清洗物的表面主要是以化學(xué)反應(yīng)的形式表現(xiàn)作為主要的清洗目的，主要通過氧氣，即在真空反應(yīng)室中通過射頻或微波能量使氧氣電離成等離子體，該等離子體中包含離子、原子、分子及電子與有機物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成CO2和H2O，然后經(jīng)真空泵將其抽走，達到清洗目的，如圖2所示。此外，樣品表面可以通過氧等離子體進行活化，增加表面氧鍵，為表面提供自由價電子與液體分子結(jié)合，從而進行表面改性。
有機物https://www.jinlaiplasma.com/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png+http://d8d.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.pngO2http://d8d.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png→CO2http://d8d.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png+http://d8d.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.pngH2O圖http://d8d.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png2http://d8d.com.cn/asse/jinlai/chanpin/dengliziqingxiji00026.png化學(xué)清洗
傳統(tǒng)主流去膠方法采用濕法去膠，成本低效率高，但隨著技術(shù)不斷迭代更新，越來越多IC制造商開始采用干法式去膠，等離子去膠工藝不同于傳統(tǒng)的濕法式去膠工藝，它不需要浸泡化學(xué)溶劑，也不用烘干，去膠過程更容易控制，避免過多算上基底，提高產(chǎn)品成品率。24424