P是占比成效，如何提高PI薄膜附著力I是積分成效，D是求微分成效。 PID不光具有快速快速的占比成效，而且還具有積分成效的差錯清除及其求微分成效的高級調(diào)整作用。 當出現(xiàn)差錯階躍時，導函數(shù)將馬上起成效以抑止這類差錯彈跳； 該占比還具有清除差錯和削減差錯力度的成效。 由于占比效用是長久且占主導性的操控規(guī)律性，因此可以使內(nèi)腔的真空度更為平穩(wěn)； 積分成效漸漸擺脫了差錯。
這種用于等離子清潔器表面處理機的低溫蝕刻方法源于蝕刻高縱橫比硅結(jié)構(gòu)的需要，PI薄膜附著力問題主要用于形成非常高縱橫比的硅材料結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)廣泛用于微機電系統(tǒng)（MEMS）的前端工藝和后端封裝的硅通孔（TSV）。近年來研究表明，等離子清洗機表面處理機的低溫等離子刻蝕不僅可以形成所需的特殊材料結(jié)構(gòu)，而且可以減少刻蝕過程中的等離子損傷（plasma-induced damage，PID）。
在FN電流的作用下，如何提高PI薄膜附著力柵氧化層和界面都會產(chǎn)生缺陷，產(chǎn)生的損傷會引起IC成品率降低，并會加速熱載流子退化和TDDB效應(yīng)，引起器件長期可靠性問題。在集成電路制造技術(shù)中，充電效應(yīng)引起的柵氧化層退化是一個嚴重的問題。 引起PID的機理主要有以下幾種： (1)等離子體密度。高的等離子體密度意味著更大的電流在充電導致?lián)p傷的模型下，更高的等離子體密度更容易引起PID問題。
隨著社會的發(fā)展及技術(shù)的需要，如何提高PI薄膜附著力工業(yè)生產(chǎn)對生產(chǎn)材料的要求也不斷增強，如在微電子封裝工藝中，電子設(shè)備的小型化、高精度，對封裝工藝的可靠性提出了相應(yīng)的要求，高質(zhì)量的封裝技術(shù)可以提高電子產(chǎn)品的使用壽命。在線式等離子清洗機...
