CH3F氣體在等離子體中分解成CHx及F.+H.轟擊的離子能打斷Si-O鍵，氮化鈦鍍層附著力強(qiáng)嗎嗎這時(shí)需要CFx基團(tuán)與Si反應(yīng)形成可揮發(fā)副產(chǎn)物，但是在等離子表面清洗機(jī)CH3F等離子體中F離子濃度低，CHx很容易和―О-Si-發(fā)生反應(yīng)，形成-Si-O-CHx。 這種高分子聚合物在氮化硅上較薄，是因?yàn)镾i-N鍵的鍵能遠(yuǎn)低于Si-O鍵，因此Si-N鍵很容易被打斷。

由于產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模商用，鍍層附著力實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)氮化鎵的制造成本將快速下降，進(jìn)一步刺激氮化鎵器件的滲透，有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域的下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用。氮化鎵（GAN）主要用于制造電力設(shè)備，目前三分之二的GAN設(shè)備用于軍用通信、電子干擾、雷達(dá)等軍用電子產(chǎn)品。在私營部門，氮化鎵主要用于通信基站和電力設(shè)備等領(lǐng)域。

隨著行業(yè)大規(guī)模商用，氮化鈦鍍層附著力強(qiáng)嗎嗎氮化鎵生產(chǎn)成本有望迅速下降，進(jìn)一步刺激氮化鎵器件滲透，有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用。氮化鎵（GaN）主要應(yīng)用于生產(chǎn)功率器件，目前GaN器件有三分之二應(yīng)用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域。在民用領(lǐng)域，氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。

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鍍層附著力實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

是C2H2，說明在等離子體作用下的甲烷脫氫偶聯(lián)反應(yīng)中實(shí)際存在式（3-20）所示的反應(yīng)路徑。

通常，化學(xué)物質(zhì)存在于三種形態(tài)：固體、液態(tài)和混合氣體，但在某些特殊情況下，它們可以存在于第四種形態(tài)，如太陽表面的化學(xué)物質(zhì)和地球大氣電離層中的化學(xué)物質(zhì)。這些化學(xué)物質(zhì)的形態(tài)稱之為等離子形態(tài)，也稱之為化學(xué)物質(zhì)的第4形態(tài)。低溫等離子體存在于以下情形下：高速運(yùn)動(dòng)電子、激活中性原子、大分子、原子團(tuán)組（自由基）、離子原子團(tuán)、大分子、紫外光線、無反應(yīng)大分子、原子團(tuán)等，但化學(xué)物質(zhì)仍維持中性化。

但是它們卻表現(xiàn)出電中性（準(zhǔn)中性）。    3） 氣體所產(chǎn)生的自由基和離子活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，在任何暴露的表面引起化學(xué)反應(yīng)。

1)等離子體的化學(xué)反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)中常用的氣體有氫(H2)、氧(O2)、甲烷(CF4)等。這些氣體在等離子體中發(fā)生反應(yīng)，形成高度活性的自由基，自由基將進(jìn)一步與材料表面發(fā)生反應(yīng)。其反應(yīng)機(jī)理主要是利用等離子體中的自由基與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。壓力越高，越有利于自由基的生成。因此，要想優(yōu)先進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，就必須控制較高的壓力才能進(jìn)行反應(yīng)。

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