但要解決的問(wèn)題是，sio2表面羥基活化LCM工藝中存在大量對(duì)纖維浸漬不理想的樹(shù)脂，產(chǎn)品內(nèi)部存在空洞和表面干斑等現(xiàn)象。說(shuō)明樹(shù)脂對(duì)纖維表面的浸潤(rùn)性將直接影響LCM的成型工藝及制品性能。 可考慮通過(guò)等離子體清洗技術(shù)改善纖維表面的物理化學(xué)性能，提高預(yù)成型體中纖維的表面自由能，使樹(shù)脂在相同的工藝條件(壓力場(chǎng)、溫度場(chǎng)等)下能更充分地浸漬纖維表面，提高浸漬均勻性，改善復(fù)合材料液體成型的工藝性能。。

等離子體光學(xué)接觸角測(cè)試儀可檢測(cè)以下接觸角：靜態(tài)接觸角、動(dòng)態(tài)接觸角、滾動(dòng)角、表面自由能、表面張力、界面張力、批處理接觸角、粗糙度校正接觸角、單纖維接觸角等。。

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在這種情況下等離子處理產(chǎn)生以下效果： 1.1 灰化表面的有機(jī)層- 表面受到化學(xué)沖擊（下面是氧氣） - 在真空和臨時(shí)高溫條件下，sio2表面羥基活化污染物會(huì)部分蒸發(fā)。 -污染物通過(guò)高能離子的沖擊被粉碎并通過(guò)真空進(jìn)行- 紫外線破壞污染物等離子處理每秒只能穿透幾納米，所以污染層不能做得太厚。指紋也可以。 1.2 氧化物去除金屬氧化物與工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)（下圖）。該過(guò)程使用氫氣或氫氣和氬氣的混合物。也可以使用兩步處理過(guò)程。

sio2表面羥基活化

改善粉體的分散性和外觀的直接性和能力，眾所周知，納米粒徑越小，納米比功能越顯著。粉體粒徑越小，顆粒團(tuán)聚越嚴(yán)重，團(tuán)聚體可能達(dá)到亞微米級(jí)甚至微米級(jí)，嚴(yán)重影響納米助劑在纖維中的應(yīng)用，尤其是粉體顆粒/纖維復(fù)合體系的可紡性。采用粉末等離子體表面處理設(shè)備可以完成顆粒的常規(guī)性能，充分體現(xiàn)粉末顆粒/纖維復(fù)合體系的特殊功能。。

單片晶圓清洗設(shè)備和自動(dòng)清洗臺(tái)裝置在使用上沒(méi)有太大區(qū)別，主要區(qū)別在于清洗方式和精度要求，關(guān)鍵分界點(diǎn)在于半導(dǎo)體的45納米工藝。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，自動(dòng)清洗臺(tái)是多片同時(shí)清洗，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備成熟，生產(chǎn)率高，而單片清洗設(shè)備是逐片清洗，優(yōu)點(diǎn)是清洗精度高，可以有效清洗背面、斜面和邊緣，同時(shí)避免晶圓之間的交叉污染。45nm之前，自動(dòng)清洗臺(tái)可滿足清洗要求；低于45nm時(shí)，依靠單片晶圓清洗設(shè)備來(lái)滿足清洗精度要求。

在甲烷等離子體體系中加入H2或N2不僅能促進(jìn)甲烷轉(zhuǎn)化，還能提高C2烴產(chǎn)物的收率。O2的加入能有效促進(jìn)甲烷的轉(zhuǎn)化，但C2烴產(chǎn)率降低。。氧化等離子體涂層的蒸發(fā)源包括電阻型和電子束:蒸發(fā)的原料可以是非金屬，也可以是SiOX。SiO2 / Al2O3 MgO樣式。Y2O3。二氧化鈦。Gd2O3等氧化物，還有SiOX。AlOx常用。氧化物等離子體涂層有兩種汽化源:電阻型和電子束型。

比較典型的品牌有DIENER、TEPLA、PLASMATREAT、MARCH、PE、PANASONIC、YAMATO、VISION和PSM。國(guó)內(nèi)一些等離子清洗機(jī)品牌已有10多年的歷史，等離子相關(guān)技術(shù)也有一定的沉淀和積累。在PCB和FPC、光學(xué)器件、手機(jī)攝像頭模組、汽車制造、印刷等諸多行業(yè)都有一定的影響力。國(guó)內(nèi)代表性等離子清洗機(jī)品牌有爾索、蘇曼、普萊克斯、寶風(fēng)堂、奧坤鑫。

納米二氧化硅表面羥基活化

幾種主要的蝕刻工藝是：1.制備回波顆粒；2.回波顆粒到達(dá)晶片表面并被吸附3.晶圓表面化學(xué)吸附響應(yīng)，表面羥基活化形成化學(xué)鍵，構(gòu)成響應(yīng)產(chǎn)物；4.化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物在晶片外表面的解吸和去除，從腔室中抽離；例:SF6+e>SF5+F+e；SF5+E>SF4+F+E；等待F原子到達(dá)襯底，對(duì)襯底的響應(yīng)為F+Si->SiF，SiF+F->SiF2；SiF+SiF>SiF4圖6等離子體刻蝕的基本機(jī)理2.3VDC對(duì)刻蝕的影響1.蝕刻速率，由于電子密度和能量與VDC有關(guān)，上述化學(xué)反應(yīng)過(guò)程對(duì)應(yīng)速率；2.離子脫殼會(huì)對(duì)晶圓的外觀造成結(jié)構(gòu)破壞；離子脫殼的能量與VDC有關(guān)，VDC越高，脫殼越強(qiáng)。