目前國(際)上已經(jīng)投運(yùn)的GIL工程往往采用降(低)運(yùn)行電壓提高絕緣裕度的方式保障設(shè)備的可靠性，重慶實(shí)驗(yàn)型真空等離子設(shè)備批發(fā)例如日本日立公司與關(guān)西電力公司等聯(lián)合研制的直流±500kV氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備（Gas Insulated Switchgear, GIS），在阿南換流站長期降壓運(yùn)行在±250kV，ABB公司采用在交流550kV、800kV GIS元件基礎(chǔ)上研制的直流GIS，其長期運(yùn)行電壓為±500kV。

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目前，重慶實(shí)驗(yàn)型真空等離子設(shè)備公司集成電路生產(chǎn)主要以8英寸和12英寸硅片為主。 12 英寸硅晶片的芯片線寬主要為 45 納米至 7 納米。 12英寸硅片的市場份額從2009年的50%增長到2015年。為 78%，預(yù)計(jì) 2020 年將超過 84%。蝕刻 12 英寸硅晶片所需的單晶硅材料的尺寸通常超過 14 英寸。該公司目前占14英寸產(chǎn)品收入的90%以上?？傊?，硅片越大，技術(shù)難度越大，對(duì)制造工藝的要求也越高。

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這種電子在電場加速時(shí)獲得了高能，并與周圍的分子或原子發(fā)生碰撞，重新在分子和原子中激發(fā)電子，而這些電子本身處于受激態(tài)或離子態(tài)，此時(shí)物體存在的狀態(tài)就是等離子體。低溫等離子體的國內(nèi)外分類目前主要是熱-低溫等離子體。電離率幾乎達(dá)到 %，且電子和離子溫度相同，即為熱平衡低溫等離子。如低溫等離子體、沖壓發(fā)動(dòng)機(jī)低溫等離子體、熱控核聚變低溫等。等離子體的電離率很低，電子的溫度遠(yuǎn)高于其溫度，這是1種不平衡的低溫等離子。

Nd203/Y-Al203>CeO2/Y-Al203>Sm203/Y-Al203>Pr2O11/Y-Al2O3>La2O3/Y-Al2O3。根據(jù)C2烴的選擇性，催化活性排序如下： La2O3 / Y-Al2O3> CeO2 / Y-Al203 ≈ Pr2O11 / Y-Al203> Sm203 / Y-Al2O3> Nd203 / Y-Al2O3。

在g-C3N4骨架中引人新元素，因而改變材質(zhì)的電子結(jié)構(gòu)，達(dá)到調(diào)節(jié)g-C3N4的光學(xué)和其它物理特性的效用。 plasam光催化材質(zhì)，即基于具有稀有金屬納米顆粒的表面plasam共振效應(yīng)的金屬納米顆粒與半導(dǎo)體材料復(fù)合的光催化材質(zhì)的，當(dāng)稀有金屬納米顆粒(主要是Au和Ag，尺寸為幾十至幾百納米)分散到半導(dǎo)體器件光催化劑中擴(kuò)大可見光吸收范圍，同時(shí)增強(qiáng)光吸收能力。。

廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中，是半導(dǎo)體制造中不可缺少的工藝。因此，它是集成電路加工中一項(xiàng)非常悠久和成熟的技術(shù)。由于等離子體是一種高能量、高活性的物質(zhì)，對(duì)有機(jī)物等具有很高的蝕刻效果，而且等離子體是通過干法制造而無污染的，因此近年來得到了廣泛的應(yīng)用。在印刷板的制造中。

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