氬氦特性穩(wěn)定，氬氣等離子刻蝕放電電壓低（氬原子的電離能E為15.57EV），AR+易形成半穩(wěn)態(tài)原子，撞擊污物，由泵排出. 真空泵，形成揮發(fā)性污漬，避免了表面材料的反應(yīng)。另一方面，使用氬氣時，易形成半穩(wěn)定原子，與氧或氫分子碰撞時，發(fā)生電荷轉(zhuǎn)換和再生。它結(jié)合形成氧氣。作用于物體表面的氫活性原子。

這種情況下的等離子處理有以下效果： 3.11 表面有機(jī)層灰化-表面受到化學(xué)沖擊-污染物在真空和臨時高溫條件下部分蒸發(fā)-污染物被高能離子的影響破壞真空去除-紫外線輻射破壞污染污染層不應(yīng)太厚了，氬氣等離子刻蝕因?yàn)檎婵仗幚碇荒軡B透到每秒幾納米的厚度。指紋也可以。 3.12 氧化物去除金屬氧化物與處理氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這個過程需要使用氫氣或氫氣和氬氣的混合物。也可以使用兩步處理過程。

第一步是用氧氣氧化表面5分鐘，氬氣等離子刻蝕原理第二步使用氫氣和氬氣的混合物去除氧化層。也可以重復(fù)使用和處理多種氣體。 3.13 焊接印刷電路板通常在焊接前用化學(xué)助焊劑處理。焊接后必須用等離子法去除。否則會出現(xiàn)腐蝕等問題。 3.14 電鍍、粘合和焊接操作的殘留物經(jīng)常會削弱粘合的粘合力。這些可以通過等離子體方法選擇性地去除。共氧化物也會對粘合質(zhì)量產(chǎn)生不利影響，因此需要等離子清洗。

在真空和瞬間高熱條件下，氬氣等離子刻蝕部分污染物會揮發(fā)；污染物會在高效能離子的沖擊下被破壞并被真空去除；紫外線源會破壞污染物... ⒉等離子清洗機(jī)中的氧化性物質(zhì)被去除，氧化物被處理后的混合氣體發(fā)生化學(xué)變化。這種處理需要使用氫氣或氬氣混合物。也可以使用兩步法。第一步是用氧氣氧化反應(yīng)表面層5分鐘，第二步是用氫氣和氬氣的混合物去除氧化反應(yīng)層。也可同時處理多種混合氣體。

氬氣等離子刻蝕

模式 2. 氧化物的還原 金屬氧化物與工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。氫氣和氬氣或氮?dú)獾幕旌衔镉米鞴に嚉怏w。由于等離子射流的熱效應(yīng)，可能會發(fā)生進(jìn)一步的氧化。因此，建議在惰性氣體環(huán)境中處理。

金屬氧化物反應(yīng)性氣體的氧化去除該過程使用氫氣或氬氣和氫氣的混合物。使用兩步過程。第一步是用氧氣氧化表面，第二步是用氫氣和氬氣的混合物去除氧化層。它也可以用各種氣體處理。焊接 通常，印刷電路板經(jīng)過化學(xué)助焊劑處理。這些化學(xué)物質(zhì)在焊接后需要等離子去除。否則會出現(xiàn)腐蝕問題。良好的鍵耦合往往會削弱電鍍、鍵合和焊接操作，并且可以通過等離子方法選擇性地去除。同時，氧化層的結(jié)合質(zhì)量也是不利的。

等離子清洗機(jī)可用于輕松去除分子級制造過程中形成的污染物，并確保原子粘附在工件表面。這有效地提高了鍵合強(qiáng)度，提高了晶片的鍵合質(zhì)量，減少了泄漏。提高封裝性能、良率和組件可靠性。微電子封裝中等離子清洗工藝的選擇取決于后續(xù)工藝對材料表面的要求、材料表面原有特性的化學(xué)成分以及污染物的性質(zhì)。常用于等離子清洗氣體，如氬氣、氧氣、氫氣、四氟化碳及其混合物。工作臺和等離子清洗技術(shù)應(yīng)用的選擇。

微電子封裝中等離子清洗工藝的選擇取決于后續(xù)工藝對材料表面的要求、材料表面原有特性的化學(xué)成分以及底漆的性能。常用于等離子清洗氣體，如氬氣、氧氣、氫氣、四氟化碳及其混合物。等離子清洗技術(shù)應(yīng)用選擇。小銀膠村底：污染物使膠體銀呈球形，不促進(jìn)芯片粘附，更容易刺穿芯片。高頻等離子清洗可用于顯著改善表面粗糙度和親水性。銀膠體和貼瓦片的用量，同時使用銀膠的用量，可以節(jié)省銀膠，降低（低）成本。

氬氣等離子刻蝕設(shè)備

將其置于真空室中（氧氣、氫氣、氬氣、氮?dú)獾葰怏w因清洗劑而異），氬氣等離子刻蝕設(shè)備壓力保持在 100 PA 左右，在它們之間施加高頻電壓。真空室中的電極和接地裝置分解氣體并使其通過輝光。光的放電使氣體電離并產(chǎn)生等離子體。在真空室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體完全覆蓋待清洗工件后，開始清洗操作，清洗過程持續(xù)幾十秒到幾分鐘。下面詳細(xì)介紹使用等離子清洗機(jī)時應(yīng)注意的事項(xiàng)。 1、等離子清洗機(jī)啟動前，需要做好一切準(zhǔn)備工作。