等離子清洗/蝕刻機(jī)通過(guò)在密閉容器中設(shè)置兩個(gè)電極以產(chǎn)生電場(chǎng)并使用真空泵達(dá)到一定程度來(lái)產(chǎn)生等離子。隨著氣體越來(lái)越稀薄，不同金屬附著力差異大小分子和離子的分子間距和自由運(yùn)動(dòng)距離越來(lái)越長(zhǎng)，它們?cè)陔妶?chǎng)的作用下相互碰撞，形成等離子體。這些離子非?；钴S，它們的能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，從而在暴露的表面上引起化學(xué)反應(yīng)。不同的氣體等離子體具有不同的化學(xué)性質(zhì)。
其主要過(guò)程包括:先將需要清洗的工件送入真空室固定,啟動(dòng)真空泵等裝置開(kāi)始抽真空排氣到10Pa左右的真空度;接著向真空室引入等離子清洗用的氣體(根據(jù)清洗材質(zhì)的不同,選用的氣體也不同,如氧氣、氫氣、氬氣、氮?dú)獾?,并將壓力保持在 Pa左右;在真空室內(nèi)的電極與接地裝置之間施加高頻電壓,使氣體被擊穿,并通過(guò)輝光放電使其發(fā)生離子化,產(chǎn)生等離子體;在真空室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體完全覆蓋被清洗工件后,開(kāi)始清洗作業(yè),清洗過(guò)程會(huì)持續(xù)幾十秒到幾分鐘。
從正常能量發(fā)射：氣體>液體>固體的角度來(lái)看，不同金屬附著力差異大小等離子體的能量比氣體高，而且能表現(xiàn)出普通氣體所不具備的特性，因此也被稱為物質(zhì)的第四態(tài)。一般情況下，氣體離子會(huì)形成電子-正離子結(jié)合。當(dāng)它們回到中性分子狀態(tài)時(shí)，這一過(guò)程中產(chǎn)生的電子和離子的部分能量以不同形式被消耗掉。例如，電磁波和分子解離常產(chǎn)生自由基，自由基產(chǎn)生電子與中性原子結(jié)合，分子產(chǎn)生負(fù)離子。因此，整個(gè)真空等離子體是電子正負(fù)離子、原子和自由基激發(fā)的原子混合態(tài)。
2.3(1)低溫等離子體和高溫等離子體的種類可以分為兩類，不同金屬附著力差異大小高溫等離子體和低溫等離子體，等離子體中粒子的溫度實(shí)際上是不同的，與溫度相關(guān)的粒子運(yùn)動(dòng)速度的運(yùn)動(dòng)質(zhì)量,等離子體與鈦離子溫度,說(shuō),存在于電子溫度Te和中性粒子,如原子、分子或原子與Tn的溫度,對(duì)于Te大大高于Ti和Tn,即低壓氣體的場(chǎng)合體，此時(shí)氣體的壓力只有幾百帕斯卡，當(dāng)施加高頻電壓或直流電壓時(shí)使電場(chǎng)，由于電子本身很小，電池的質(zhì)量很容易得到，因此，可以獲得平均數(shù)電子伏特的高能。
不同金屬附著力差異大小
常見(jiàn)的等離子體激發(fā)頻率有三種：激發(fā)頻率為40kHz的超聲等離子體、激發(fā)頻率為13.56MHz的射頻等離子體和激發(fā)頻率為2.45GHz的微波等離子體。各種等離子體線的自偏壓不同。超聲等離子體的自偏壓約為0V，射頻等離子體的自偏壓約為250V。微波等離子體的自偏壓很低，只有幾十伏。三種等離子體的形成機(jī)制不同。超聲等離子體的反應(yīng)是物理反應(yīng)，射頻等離子體的反應(yīng)是物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)，微波等離子體的反應(yīng)是化學(xué)反應(yīng)。
等離子清洗/蝕刻技術(shù)是對(duì)等離子特殊性能的一種具體應(yīng)用。等離子清洗/蝕刻機(jī)通過(guò)在密閉容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生等離子，并使用真空泵產(chǎn)生一定的真空度。它越來(lái)越薄，分子和離子的分子間距和自由運(yùn)動(dòng)距離越來(lái)越長(zhǎng)。它與電場(chǎng)的作用相撞形成等離子體。這些離子非?；钴S，其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵。暴露的表面會(huì)引起化學(xué)反應(yīng)，不同氣體的等離子體具有不同的化學(xué)性質(zhì)。
相對(duì)而言，干洗是指等離子清洗、氣相清洗、束流清洗等不依賴化學(xué)試劑的清洗技術(shù)。由于工藝技術(shù)和使用條件的不同，市場(chǎng)上的清洗設(shè)備差異很大。目前市場(chǎng)上主要的清洗設(shè)備包括單晶片清洗設(shè)備、主動(dòng)清洗站和洗滌器。從21世紀(jì)至今，主要的清洗設(shè)備是晶圓清洗設(shè)備、主動(dòng)清洗站和洗滌器。單晶片清洗裝置是一般采用旋轉(zhuǎn)噴淋方式，用化學(xué)噴霧清洗單晶片的裝置，與主動(dòng)清洗站相比，清洗效率較低，生產(chǎn)能力也較低，但工藝非常昂貴。
相對(duì)而言，干洗是指不依賴化學(xué)試劑的清洗技能，包括等離子體清洗、氣相清洗、束流清洗等。工藝技能和使用條件的差異使得市場(chǎng)上的清洗設(shè)備也有明顯的差異化?，F(xiàn)在市場(chǎng)上的初級(jí)清洗設(shè)備有單晶片清洗設(shè)備、主動(dòng)清洗臺(tái)和清洗機(jī)三種。在21世紀(jì)至今，單片清洗設(shè)備、主動(dòng)清洗臺(tái)、清洗機(jī)是主要的清洗設(shè)備。
不同金屬附著力差異
就質(zhì)量和體積而言，不同金屬附著力差異等離子體是宇宙中可見(jiàn)物質(zhì)存在的主要形式。恒星是由等離子體構(gòu)成的，星際空間也充滿了等離子體。這兩種等離子體非常不同。恒星的核心是高溫、高密度的等離子體，星際空間是薄薄的低溫等離子體。地球上的人造等離子體也有同樣的差異。有高溫高密度等離子體和低溫低密度等離子體。受控?zé)岷司圩兎磻?yīng)堆是一種完全電離的高溫高密度人造等離子體。
