1 優(yōu)化引線鍵合?

在芯片、微電子機(jī)械體系MEMS封裝中，基板、基座與芯片之間有很多的引線鍵合，引線鍵合仍然是完成芯片焊盤與外引線銜接的重要方法，如何進(jìn)步引線鍵合強(qiáng)度一直是職業(yè)研討的問題。射頻驅(qū)動(dòng)的低壓等離子清洗技能是一種有用的、低成本的清潔辦法，可以有用地去除基材外表或許存在的污染物，例如氟化物、鎳的氫氧化物、有機(jī)溶劑殘留、環(huán)氧樹脂的溢出物、資料的氧化層，等離子清洗一下再鍵合，會明顯進(jìn)步鍵合強(qiáng)度和鍵合引線拉力的均勻性，它對進(jìn)步引線鍵合強(qiáng)度作用很大。在引線鍵合之前，氣體等離子體技能可以用來清洗芯片接點(diǎn)，改進(jìn)結(jié)合強(qiáng)度及成品率，表3示出一例改進(jìn)的拉力強(qiáng)度比照，選用氧氣及氬氣的等離子體清洗工藝，在保持高工序才能指數(shù)Cpk值的一起能有用改進(jìn)拉力強(qiáng)度。據(jù)資料介紹，研討等離子體清洗的效能時(shí)，不同公司的不同產(chǎn)品類型在鍵合前選用等離子體清洗，增加鍵合引線拉力強(qiáng)度的起伏大小不等，但對進(jìn)步器材的可靠性而言都很有優(yōu)點(diǎn)。?

用Ar等離子體，將樣品置放在地極板，當(dāng)射頻功率為200W～600W、氣體壓力為100mT～120mT或140mT～180mT時(shí)，清洗10min～15min，能獲得很好的清洗作用和鍵合強(qiáng)度，試驗(yàn)用直徑25μm金絲鍵合引線，當(dāng)選用等離子清洗后，其平均鍵合強(qiáng)度可進(jìn)步到6.6gf以上。

2 倒裝焊接前的清洗?

在芯片倒裝封裝方面，對芯片和載體進(jìn)行等離子體清洗，進(jìn)步其外表活性以后再進(jìn)行倒裝焊，可以有用地避免或削減空洞，進(jìn)步黏附性。另一特點(diǎn)是進(jìn)步填料邊緣高度，改進(jìn)封裝的機(jī)械強(qiáng)度，下降因資料間不同的熱膨脹系數(shù)而在界面間構(gòu)成的剪切應(yīng)力，進(jìn)步產(chǎn)品可靠性和壽命。?

3 芯片粘結(jié)的清洗?

等離子體外表清洗可用于芯片粘結(jié)之前的處理，因?yàn)槲刺幚碣Y料標(biāo)明普遍的疏水性和惰性，其外表粘結(jié)功能一般很差，粘結(jié)進(jìn)程中很簡單在界面發(fā)作空洞?；罨蟮耐獗砟芨倪M(jìn)環(huán)氧樹脂等高分子資料在外表的活動(dòng)功能，提供杰出的觸摸外表和芯片粘結(jié)浸潤性，可有用避免或削減空洞構(gòu)成，改進(jìn)熱傳導(dǎo)才能。清洗常用的外表活化工藝是經(jīng)過氧氣、氮?dú)饣蛩鼈兊幕旌蠚獾入x子體來完成的。微波半導(dǎo)體器材在燒結(jié)前選用等離子體清洗管座，對確保燒結(jié)質(zhì)量非常有用。?

4 引線結(jié)構(gòu)的清洗?

引線結(jié)構(gòu)在當(dāng)今的塑封中仍占有相當(dāng)大的市場份額，其主要選用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工功能杰出的銅合金資料制造引線結(jié)構(gòu)。但銅的氧化物及其他一些污染物會造成模塑料與銅引線結(jié)構(gòu)分層，并影響芯片粘接和引線鍵合質(zhì)量，確保引線結(jié)構(gòu)清潔是確保封裝可靠性的要害。研討標(biāo)明，選用氫氬混合氣體，激起頻率13.56MHz，可以有用地去除引線結(jié)構(gòu)金屬層上的污染物，氫等離子體可以去除氧化物，而氬經(jīng)過離子化可以促進(jìn)氫等離子體數(shù)量的增加。