反應(yīng)產(chǎn)物主要為C2H2和C2H6。等離子體功率的增加有利于C2H2的形成。甲烷轉(zhuǎn)化率為31%，二氧化硅等離子體除膠設(shè)備二氧化碳轉(zhuǎn)化率為24%，C2選擇性為64%。。CMOS工藝中等離子體損傷的WAT方法研究:硅片傳輸檢測是在完成半導(dǎo)體硅片的所有制造工藝后，對硅片上各種檢測結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能進(jìn)行檢測。它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的一種手段，是產(chǎn)品入庫前的最后一次質(zhì)量檢驗(yàn)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和壯大，等離子體工藝在集成電路制造中得到了廣泛的應(yīng)用。

典型的等離子體物理清洗工藝是氬等離子體清洗。氬本身是惰性氣體，二氧化硅等離子體清潔不與表面發(fā)生反應(yīng)，而是通過離子轟擊來清除表面。典型的等離子體化學(xué)清洗工藝是氧等離子體清洗。等離子體產(chǎn)生的氧自由基反應(yīng)性很強(qiáng)，很容易與碳?xì)浠衔锓磻?yīng)，產(chǎn)生二氧化碳、一氧化碳和水等揮發(fā)性物質(zhì)，2.2激發(fā)頻率分類等離子體密度與激發(fā)頻率的關(guān)系如下:Nc = 1.2425 × 108 v2其中Nc為等離子體密度(CM-3)， V為激發(fā)頻率(Hz)。

等離子體清洗設(shè)備:等離子體原理和超聲波清洗原理,當(dāng)接近真空的模塊,射頻功率,打開氣體電離,等離子體,并伴隨著輝光放電,等離子體加速電場下,因此高速運(yùn)動(dòng)的電場作用下,表面的物理碰撞,等離子體的能量足以去除各種污染物，二氧化硅等離子體除膠設(shè)備同時(shí)氧離子可以將有機(jī)污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。

等離子體在電場作用下加速，二氧化硅等離子體清潔從而在電場作用下高速運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致物體表面發(fā)生物理碰撞。等離子體的能量足以去除各種污染物，而氧離子則能將有機(jī)污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。等離子清洗不需要其他原料，只要空氣能滿足要求，使用方便且無污染，同時(shí)等離子清洗的優(yōu)點(diǎn)比超聲波更多，等離子不僅可以進(jìn)行表面清洗，更重要的是可以提高表面活性。

二氧化硅等離子體清潔

在等離子體蝕刻中，基于等離子體作用的物理蝕刻和基于活性的蝕刻同時(shí)進(jìn)行群作用化學(xué)蝕刻。等離子體蝕刻工藝，開始于相對簡單的平板二極管技術(shù)，已經(jīng)發(fā)展到使用價(jià)值數(shù)百萬美元的模塊化室，配備了多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外墻溫度控制器和各種專門為特定薄膜設(shè)計(jì)的流量控制傳感器。可以蝕刻的電解質(zhì)是二氧化硅和氮化硅。這兩種介質(zhì)的化學(xué)鍵能很高，一般需要使用氟碳?xì)怏w(如CF4、C4F8等)產(chǎn)生的高活性氟等離子體對其進(jìn)行刻蝕。

等離子體表面處理(詳情請點(diǎn)擊)在形成等離子體放電時(shí)，包括電子、正離子、亞穩(wěn)態(tài)分子和原子等，當(dāng)?shù)入x子體表面被清洗并相互接觸時(shí)，一方面，利用等離子體表面處理或等離子體活化使化學(xué)活性物質(zhì)與材料表面的污垢發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，例如，等離子體表面處理中的活性氧和材料表面的有機(jī)物被氧化。氧等離子體作用于物質(zhì)表面的有機(jī)物，將有機(jī)物分解成二氧化碳。氫等離子體與表面氧化物相互作用，還原氧化物，生成水等。

等離子體清洗技術(shù)作為近年來發(fā)展起來的一種清潔技術(shù)，為解決這些問題提供了一種經(jīng)濟(jì)、有效、無污染的解決方案。對于這些不同的污染物，根據(jù)基材和芯片材料，不同的清洗工藝可以得到理想的效果，但錯(cuò)誤的工藝可能導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢，例如，采用氧等離子工藝的銀材料芯片會(huì)被氧化黑甚至報(bào)廢。因此，在LED封裝中選擇合適的等離子清洗工藝是非常重要的，了解等離子清洗的原理是非常重要的。

三、多層涂裝過程之間的清洗:多層涂裝過程中有污染，可以調(diào)節(jié)清潔能源齒輪對涂裝過程中涂裝部分的污染進(jìn)行清洗，這樣下一次涂裝效果更好。其他如等離子蝕刻，活化和涂層。由于等離子體清洗處理的功能和用途如此之多，因此，光學(xué)、光電子、光通信、電子學(xué)、微電子、半導(dǎo)體、激光、芯片、珠寶、顯示器、航空航天、生命科學(xué)、醫(yī)學(xué)、牙科、生物學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)等方面的科學(xué)研究和生產(chǎn)都有其應(yīng)用。。

二氧化硅等離子體清潔

它的能量范圍高于氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)物質(zhì)，二氧化硅等離子體清潔存在著具有一定能量彌散的電子、離子和中性粒子。當(dāng)它們與數(shù)據(jù)表面發(fā)生碰撞時(shí)，會(huì)將能量傳遞給數(shù)據(jù)表面的分子和原子，從而產(chǎn)生一系列的物理和化學(xué)過程。影響物體的表面可以完成對象的超凈的清潔,表面活化、蝕刻、加工和等離子體表面涂層。

主要的等離子體表面處理技術(shù)包括各種蝕刻、灰化和除塵工藝。其他等離子體工藝包括去污、表面粗糙度、增加潤濕性、增強(qiáng)鍵合和鍵合強(qiáng)度、光刻膠/聚合物剝離、介質(zhì)腐蝕、晶圓凸起、有機(jī)污染物去除和晶圓剝離。晶圓清洗-等離子設(shè)備在晶圓敲打前去除污染物、有機(jī)污染物、氟等鹵素污染物以及金屬和金屬氧化物。等離子體還提高了薄膜的附著力和清潔金屬焊盤。