實驗結(jié)果表明，介質(zhì)plasma表面處理設(shè)備CU/LOW-K結(jié)構(gòu)在低電場作用下的斷裂時間與根E模型估計的斷裂時間接近，實驗證實了根E模型的正確性。增加LOW-K材料的孔隙率可以有效降低K值，但也會增加材料缺陷。當(dāng)電介質(zhì)間距減小到 30 NM 以下時，多孔 LOW-K 材料在高壓下的斷裂時間急劇下降，甚至從模型估計的斷裂時間也可能達(dá)不到消費類電子產(chǎn)品所需的壽命。

同時，介質(zhì)plasma表面處理設(shè)備等離子體中的氧離子滲透多孔LOW-K，與分子結(jié)構(gòu)末端的甲基的C結(jié)合并去除，耗盡表面的碳，進(jìn)一步破壞LOW-K結(jié)構(gòu). 增加。等離子體還發(fā)射真空紫外線（VUV），LOW-K對這些高能光子的吸收可以破壞化學(xué)鍵，在表面形成低能導(dǎo)電通道。這些由等離子體引起的缺陷會在 TDDB 測試期間成為電荷陷阱，在應(yīng)力下捕獲電荷并降低電介質(zhì)表面勢壘，從而加速電介質(zhì)。質(zhì)量分解。尼科爾斯等人。

在沒有絕緣介質(zhì)阻擋的情況下，介質(zhì)plasma去膠機極板氣隙中的帶電粒子傾向于以非常快的速度向兩個極板移動。很難被氣流吹掉，而且當(dāng)兩塊極板被吹掉時，每塊極板都被絕緣片覆蓋后，這些帶電粒子會到達(dá)絕緣介質(zhì)的表面而不是極板。當(dāng)施加于雙極板的高頻交流電源電壓反向時，雙極板間隙中的空氣在強電場的作用下再次雪崩并電離，電流立即被切斷，產(chǎn)生一個脈沖陡峭的電流曲線。此時，基質(zhì)空氣中仍有帶電粒子，繼續(xù)向兩端的極板移動。

等離子體發(fā)生器冷等離子體：電子溫度高（103-104K），介質(zhì)plasma去膠機氣體溫度低（薄低壓輝光放電等離子體、電暈放電等離子體、DBD介質(zhì)阻擋放電等離子體、電纜階梯放電等離子體等）。 2、等離子體發(fā)生器按等離子體的狀態(tài)： （1）等離子體發(fā)生器 平衡等離子體：氣體壓力高，電子溫度和氣體溫度幾乎相等的等離子體。常壓下的電弧放電等離子體和高頻感應(yīng)等離子體。

介質(zhì)plasma表面處理設(shè)備

(2)等離子發(fā)生器的非平衡等離子體：在低壓或常壓下，電子溫度遠(yuǎn)高于氣體溫度。低壓直流輝光放電、高頻誘導(dǎo)輝光放電、大氣壓下DBD介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生的冷等離子體等。

2、輝光放電區(qū)：當(dāng)電流再次增大時（10-5到10-1螞蟻），陰極在低壓條件下與離子碰撞，向陽極加速，從而發(fā)射電子?？拷帢O的是一個電位差較大的陰極滴區(qū)。在電極之間的中心部分，有一個電位梯度較小的正柱區(qū)，其介質(zhì)為非平衡等離子體。在沒有氣體對流的情況下，正區(qū)的電子和離子以相同的速率向壁面擴散，在壁面結(jié)合并釋放能量。在經(jīng)典理論中，橫截面上的電子密度分布是貝塞爾函數(shù)的形式。

主要流程如下：首先將待清洗的工件送入真空系統(tǒng)進(jìn)行固定，真空泵等設(shè)備逐漸抽真空至10PA左右的真空度。然后將等離子清洗氣體引入真空系統(tǒng)（根據(jù)清洗材料的不同，使用氧氣、氫氣、氬氣、氮氣等不同的氣體，并保持真空系統(tǒng)的壓力為100帕左右。增加之間的高頻工作電壓）電極和接地裝置，根據(jù)真空系統(tǒng)產(chǎn)生的電弧放電體的電離作用，氣體被分解，產(chǎn)生等離子體。等離子完全覆蓋并清洗工件后，逐漸清洗，清洗過程持續(xù)幾十秒到幾分鐘。

等離子清洗機省去了清洗液的運輸、儲存、排放等處理手段，可以處理任何物體。等離子清洗機可以處理多種材料，低溫等離子處理設(shè)備特別適用于耐熱和耐溶劑的材料，也可以選擇性地使用。

介質(zhì)plasma去膠機

等離子清洗機/等離子處理器/等離子處理設(shè)備廣泛應(yīng)用于等離子清洗、等離子蝕刻、等離子脫膠、等離子涂層、等離子灰化、等離子處理、等離子表面處理等。通過等離子清洗機的表面處理，介質(zhì)plasma表面處理設(shè)備可以提高材料表面的潤濕性，可以對各種材料進(jìn)行涂鍍，提高附著力和附著力，去除有機污染物和油污。同時涂抹潤滑脂。