化學(xué)鍵解離能/(kJ/mol)解離能/(eV/mol) CH3—CH3 367.8 3.8C2H5—H 409.6 4.2CH2 = CH2 681.3 7.1C2H3-H434.74.5CH≡CH964.910.0C2H—H501.75.2 純等離子體表面處理設(shè)備下C2H6轉(zhuǎn)化反應(yīng)的主要?dú)庀喈a(chǎn)物為C2H4、C2H2、H2和CH4，晶圓plasma表面處理機(jī)器固體產(chǎn)物為積碳。
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這可以增加表面能。清潔管道時(shí)，晶圓plasma表面處理機(jī)器增加表面積很重要。這促進(jìn)了良好的結(jié)合。等離子表面清洗活化工藝：氧等離子塑料表面張力的提高是明顯的。原因是氧自由基的反應(yīng)性高，形成極性鍵，是涂液的附著點(diǎn)。通過(guò)這種方式，增加了表面張力，加速了潤(rùn)濕并提高了附著力。管線等離子清洗機(jī)的表面處理使生產(chǎn)率加倍 管線等離子清洗機(jī)表面處理使工作效率加倍：管線的表面張力低，不能很好地粘附在涂漆表面上。
水性，晶圓plasma表面處理機(jī)器提高膠粘表面的表面能，不損傷表面，不引起涂層剝落或表面涂層。等離子處理后，可以提高材料的表面張力，提高處理后材料的結(jié)合強(qiáng)度。通常使用：1。等離子表面活化/清洗； 2.等離子處理后的鍵合； 3.等離子蝕刻/活化； 4. 5.血漿去角質(zhì)；等離子涂層（親水、疏水）； 6. 加強(qiáng)鍵； 7.等離子涂層 8. 用于等離子等?；一捅砻娓男?。
晶圓plasma表面處理機(jī)器
經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的負(fù)柵偏壓和溫度應(yīng)力后，Si/SiO2New PMOS界面出現(xiàn)界面態(tài)，界面電位升高，空穴俘獲產(chǎn)生的界面態(tài)和固定電荷帶正電，閾值電壓向負(fù)偏移方向。相比之下，NMOS 受 PBTI 的影響要小得多，因?yàn)樗慕缑婧凸潭姾蓸O性相互抵消。隨著新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的出現(xiàn)，隨著集成電路功能尺寸的縮小、柵極電場(chǎng)的增加以及集成電路工作溫度的升高，NBTI 已成為集成電路器件可靠性的主要破壞因素之一。
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