但是，什么溶劑增加油墨附著力如果設(shè)計規(guī)則不能避免這種情況，即如果電路板的設(shè)計有兩個圖案都暴露的區(qū)域并且有源區(qū)位于多晶硅下方，則需要控制過蝕刻量。切割工藝基板避免底層硅被損壞。如果尺寸進(jìn)一步縮小，切割工藝的縱橫比將進(jìn)一步增加，這將給等離子表面處理機(jī)干法蝕刻后的清洗工藝增加許多挑戰(zhàn)。。等離子表面處理器的多晶硅柵極蝕刻：隨著 CMOS 工藝擴(kuò)展到 65 nm 以下的工藝節(jié)點，等離子表面處理器柵極的蝕刻制造面臨許多挑戰(zhàn)。

整個過程依靠等離子體在電磁場的空間中移動，什么溶劑增加油墨附著力撞擊被處理物體的表面。大多數(shù)物理清潔過程需要高能量和低壓。原子和離子在與要清潔的表面碰撞之前會加速。為了加速等離子體，需要高能量，從而可以增加等離子體中原子和離子的速度。需要低壓來增加原子之間的平均距離，然后再碰撞。這個距離稱為平均自由程。路徑越長，離子就越有可能撞擊要清潔的表面。

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正丁烷在單純plasma等離子體作用下主要產(chǎn)物是C2H2，增加油墨附著力樹脂這源于C-C鍵的鍵能低于C-H鍵的鍵能，在大氣壓plasma等離子體作用下C-C鍵優(yōu)先斷裂形成CHx活性物種，其進(jìn)一步反應(yīng)優(yōu)先生成C2H2。。

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等離子主要是通過粒子間碰撞來相互傳遞能量，達(dá)到熱力學(xué)平衡，但各類粒子之間碰撞幾率是不相等的，因而傳遞能量也是不相等的。一般同類粒子之間碰撞幾率比較大，能量傳遞有效，容易通過碰撞達(dá)到平衡狀態(tài)，它們各自服從麥克斯韋分布具有各自熱力學(xué)平衡溫度，如電子-電子碰撞達(dá)到熱力學(xué)平衡具有一定的溫度Te，叫電子溫度。

（反應(yīng)氣體根據(jù)工藝要求選擇，不用時鎖定關(guān)閉。

低溫等離子體+光催化技術(shù)是指在等離子體反應(yīng)器中填充TiO2催化劑，當(dāng)反應(yīng)器產(chǎn)生的高能量粒子將有機(jī)污染物分解成小分子時，這些物質(zhì)在催化劑的作用下進(jìn)一步被氧化分解成無機(jī)小分子，以達(dá)到凈化分離廢氣的目的。

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