等離子清洗的優(yōu)點(diǎn) 等離子清洗的優(yōu)點(diǎn)： 輝光等離子清洗機(jī)的優(yōu)點(diǎn) 1、等離子清洗后，外延片plasma蝕刻設(shè)備待清洗的物體干燥，無(wú)需進(jìn)一步干燥即可送入下一道工序?？梢蕴岣哒麄€(gè)工藝線的加工效率。 2.等離子清洗避免了有害溶劑對(duì)人體的傷害，避免了被清洗物容易被濕法清洗的問(wèn)題。 3.避免使用 ODS，例如三氯乙烷。這種清洗方法屬于環(huán)保綠色清洗方法，因?yàn)橛泻θ軇┛梢苑乐骨逑春笥泻ξ廴疚锏漠a(chǎn)生。隨著世界對(duì)環(huán)境保護(hù)的極大興趣，這一點(diǎn)變得越來(lái)越重要。

超低溫等離子體裝置的低溫等離子體技術(shù)主要有電子束照射法、介質(zhì)阻擋放電法、沿面放電法、電暈放電法等。介質(zhì)阻擋放電法是高壓下的非平衡放電過(guò)程。介質(zhì)阻擋放電法是一種有效、方便的產(chǎn)生等離子體的技術(shù)方法。低溫等離子體技術(shù)在處理?yè)]發(fā)性有機(jī)化合物方面具有獨(dú)特的性能，外延片plasma蝕刻設(shè)備具有非常廣泛的未來(lái)研究前景。在超低溫等離子體裝置中揮發(fā)性有機(jī)物的低溫等離子體處理中，反應(yīng)器的電源主要是工頻電源。從提高處理效率的角度，可以考慮高頻電源。

25ML/分鐘速度。從表3-4可以看出，外延片plasma蝕刻設(shè)備C2H4和C2H2的選擇性隨著CO2的增加和添加量的增加而單調(diào)下降。因此，乙烷的轉(zhuǎn)化率隨著CO2添加量的增加而增加，但C2H4和C2H2的總收率增加。峰形發(fā)生變化。當(dāng) CO2 添加量為 50% 時(shí)出現(xiàn)極值。另一方面，活性氧進(jìn)一步與乙烯和乙炔反應(yīng)以裂解CH鍵并形成CO和碳沉積物。當(dāng) CO2 的添加量很大時(shí)，這種現(xiàn)象尤其明顯。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個(gè)產(chǎn)品 A 之間的耦合發(fā)生反應(yīng)。

外延片plasma清洗設(shè)備

表面涂有各種材料，以達(dá)到疏水性（疏水性）、吸濕性（吸濕性）、疏油性（耐油性）和疏油性（耐油性）。。等離子發(fā)生器能量密度對(duì)H2氣氛中C2H6脫氫反應(yīng)的影響影響。 C2H6脫氫反應(yīng)：隨著H2濃度的增加，C2H6的轉(zhuǎn)化率和C2H2、C2H4、CH4的收率均增加。這表明H2的加入有利于C2H6的轉(zhuǎn)化以及C2H2和C2H4的生成。 CH4。

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