這對于蝕刻的優(yōu)點是定義通道材料圖案的單一目的。此前，CCPplasma蝕刻機器CCl2F2氣體用于刻蝕，但由于選擇性和等離子體對底層膜的破壞，有人開發(fā)了兩種組合的氣體等離子體刻蝕方案，CHF3+BCl3和CF4+BCl3。在有效性方面，兩種方法都可以實現(xiàn)更快的蝕刻速率和更高的 InAlAs 選擇性，并且在低電壓和高射頻功率下更容易實現(xiàn)。兩種相似材料之間蝕刻速率的差異是由于反應產(chǎn)物的揮發(fā)性不同。

首先，CCPplasma蝕刻等離子體中含有大量的高能粒子（氧自由基，尤其是氧自由基）和光線。高能粒子在與材料表面碰撞時與CC鍵和CH鍵結合，從而實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)移。因此，在材料表面形成了大量的氧自由基，相鄰的分子氧自由基可以結合，與等離子體中的活性粒子發(fā)生交聯(lián)或反應。將生成一系列新組。當它與空氣中的氧氣發(fā)生反應時，在聚合物表面形成一種具有強張力的氧自由基。

蝕刻條件是通過 AZ4620 用氧氣 70 sccm 和氬氣 30 sccm 的混合物、偏置電壓 150 W、壓力 55 mT 和厚度 20 μm 的混合物進行兩次旋涂獲得的圖案。這些條件下的石墨烯刻蝕速率約為 100 nm/min，CCPplasma蝕刻機器但光刻膠 AZ4620 的刻蝕速率為 330 nm/min，需要更厚的光刻膠或 3 層掩模結構。幸運的是，這種情況不適合非晶態(tài)。

作為參考，CCPplasma蝕刻機器標準邏輯工藝的接觸孔縱橫比通常為 4-7，但 3D NAND 接觸孔縱橫比一般在 10 以上，并隨著控制柵層數(shù)的增加而增加。 ..因此，等離子表面處理機和蝕刻機的制造商開發(fā)了高縱橫比蝕刻（HAR蝕刻）模型，以滿足3D NAND的工藝要求。該過程通常使用等離子表面調(diào)節(jié)等離子清潔器的電容耦合等離子蝕刻 (CCP) 模型來執(zhí)行。

CCPplasma蝕刻

該過程通常使用等離子表面調(diào)節(jié)等離子清潔器的電容耦合等離子蝕刻 (CCP) 模型來執(zhí)行。與通道通孔蝕刻的工藝要求類似，接觸孔蝕刻需要比邏輯蝕刻工藝更強的偏置功率，通常要高出三倍以上。同時，它采用低頻偏置電源提供更長的無離子路徑，提高了等離子表面處理機的等離子清洗機將等離子蝕刻到接觸孔底部的能力，從而支撐側壁在.避免變形。減少接觸孔底部和蝕刻停止?？赡苄浴?/p>

具體流程如下：首先，將多層陶瓷片在高溫下共燒成多層陶瓷金屬化板，然后在板上形成多層金屬線，然后進行電鍍。板、芯片和 PCB 板之間的 CTE 差異是 CBGA 組裝過程中產(chǎn)品故障的特定原因。除了CCGA結構，其他陶瓷基板（HITCE陶瓷基板）也可以用來彌補這種情況。

在非熱力學平衡的冷等離子體中，電子具有很高的能量，可以破壞材料表面分子的化學鍵，提高粒子的化學反應性（大于熱等離子體）。中性粒子的溫度接近室溫，這些優(yōu)點為熱敏聚合物的表面改性提供了合適的條件。低溫等離子表面處理使材料表面發(fā)生各種物理化學變化，蝕刻和粗糙化，形成高密度交聯(lián)層，或親水性和粘附性、染色性、生物相容性、電學特性得到改善。

等離子體的狀態(tài)，即物質(zhì)的第四態(tài)，是由被剝奪了部分電子的原子組成的離子，并產(chǎn)生正負電子。原子電離后的變化氣態(tài)物質(zhì)。這種電離氣體由原子、分子、原子團、離子和電子組成。其對物體表面的作用可以實現(xiàn)物體的超凈清洗、物體表面的活化、蝕刻、精加工、等離子表面鍍膜。由于物體表面的低溫等離子體強度比高溫等離子體強度弱，因此可以保護被加工物體的表面，低溫等離子體主要用于應用。

CCPplasma蝕刻機器

低溫等離子表面處理使材料表面發(fā)生各種物理化學變化，CCPplasma蝕刻機器蝕刻和粗糙化，形成高密度交聯(lián)層，或親水性和粘附性、染色性、生物相容性、電學特性得到改善。由于在適當?shù)墓に嚄l件下對材料表面進行處理，材料表面形貌發(fā)生劇烈變化，引入各種含氧基團，使表面無極性，難以粘附。恒定的極性、粘性、親水性。適用于膠合、涂層和印刷。當在電極上施加交流高頻和高壓時，兩個電極之間的空氣會產(chǎn)生氣體電弧放電以形成等離子體區(qū)域。