線和空隙均為20&mu，CCP清洗設備用M的圖形來測試蝕刻效果。本文中使用的石墨烯厚度為50nm，生長在二氧化硅上。蝕刻條件:70sccm的氧氣和30sccm的氬氣混合氣體，偏壓150W，壓力55mt，利用光敏電阻通過兩次自旋涂布20M厚的AZ4620圖形獲得。石墨烯的刻蝕速率約為nm / min，而AZ4620的光刻膠刻蝕速率為330nm / min，這也需要較厚的光刻膠或使用3層掩模結構。
早期采用CCl2F2氣體進行刻蝕，CCP清潔機但由于選擇比和等離子體對底層膜的損傷，開發(fā)了兩種氣體等離子體組合刻蝕方案:CHF3+BCl3和CF4+BCl3。實際上，這兩種方案都實現了更快的刻蝕速率和對InAlAs的高選擇比，并且更容易在低壓和高射頻功率下實現。兩種相似材料的不同腐蝕速率是由于反應產物的揮發(fā)性不同造成的。GaCl3和AsCl3均較易揮發(fā)，而AlCl3較難揮發(fā)，會影響進一步蝕刻。
Radu團隊根據ICCD在10ns曝光下拍攝的放電圖像，CCP清潔機發(fā)現在大氣壓下惰性氣體He、Ne、Ar、氪的DBD間隙中可以實現輝光放電。除了輝光放電和絲狀放電外，在輝光放電和絲狀放電之間還有第三種放電方式，即柱狀放電。上世紀末以來，國內電暈實驗室、清華大學、大連理工大學、華北電力大學、西安交通大學、華中科技大學、中國科學院物理研究所、河北師范大學等已經開始學習APGD。
在線等離子清洗設備是在獨立的基礎上，CCP清洗設備以滿足表面處理均勻性、一致性較高的質量要求，提高自動化程度，減少人工參與等需求而設計的。根據等離子體產生的激勵方式可分為:電容耦合即CCP，電感耦合即ICP，電子回旋共振即ECR等
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