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深圳市金徠技術(shù)有限公司

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硅表面活化

例如,氧化硅表面活化濕法處理步驟雖然簡單,但結(jié)果含有C、O、F等污染物;高溫處理能有效去除C、O污染物,但處理溫度有待進(jìn)一步優(yōu)化,后續(xù)工藝兼容性差;等離子體處理能有效去除含O和F的污染物,但處理溫度和時間不當(dāng)會導(dǎo)致表面離子的破壞,造成碳化硅表面重構(gòu)。根據(jù)上述表面處理方法的特點(diǎn),采用濕法清洗和氧氬等離子體處理晶圓,直接將碳化硅熔點(diǎn)與低溫低壓熱壓碳化硅熔點(diǎn)進(jìn)行比較;粘接,并達(dá)到理想的粘接效果。

硅表面活化

因此,氧化硅表面活化盡量減少表面摩擦阻力是提高速度和節(jié)約能源的主要途徑。近年來,在等離子表面處理機(jī)上使用超疏水涂層降低超疏水表面阻力的研究引起了研究人員的關(guān)注。例如,使用超疏水硅表面的減阻研究發(fā)現(xiàn),減阻可以達(dá)到 30% 到 40%。主要采用改性硅橡膠和聚氨酯樹脂,在等離子表面處理機(jī)的超疏水涂層中加入低表面能無機(jī)或有機(jī)填料。在低流速下,最大表面減阻可以達(dá)到 30%,但由于表面粗糙度的影響,隨著流量增加,這種減阻效果較差。

等離子體處理的RHEED圖像呈條紋狀,氧化硅表面活化表明表面非常平坦。傳統(tǒng)濕法處理碳化硅表面的主要雜質(zhì)是碳和氧。這些雜質(zhì)在低溫下與H原子反應(yīng),并以CH和H2O的形式從表面除去。等離子體處理后的表面氧含量明顯低于傳統(tǒng)的濕法清洗。已知,表面雜質(zhì)C的存在是半導(dǎo)體MOS器件制造或歐姆接觸的主要障礙。如果經(jīng)過氫等離子體表面處理裝置處理后,Cls的高能尾部消失,即cc-H污染消失,則更容易制備高性能歐姆接觸和MOS器件。

1)等離子清洗機(jī)...

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