周等人。利用介質(zhì)阻擋放電實(shí)現(xiàn)CO2重整CH4。當(dāng)注入能量為87kW時。H/(nm3)，電暈機(jī)輸出電壓是多少伏甲烷轉(zhuǎn)化率為64%，二氧化碳轉(zhuǎn)化率為54%。加侖等。和品豪等人。分別研究了CH4和CO2在DBD放電電暈作用下的重整反應(yīng)。結(jié)果表明，重整反應(yīng)的主要產(chǎn)物是合成氣，只生成少量烴類（主要是C2H6)。但是在DBD放電電暈作用下的CH4和CO2重整反應(yīng)的反應(yīng)物轉(zhuǎn)化率較低，能耗很高。李等人。

采用低溫電暈處理技術(shù)對GPJ太陽能蓋板氟涂層表面進(jìn)行處理時，電暈機(jī)輸出功率6kw當(dāng)處理功率達(dá)到4.0kW、時間達(dá)到3s以上時，表面性能達(dá)到高點(diǎn)后趨于穩(wěn)定。。電暈設(shè)備用于光伏電池等場合，如離子體清洗、蝕刻、電暈電鍍、電暈鍍膜、電暈灰化、表面活化、改性等，對材料的處理可以提高材料的潤濕能力，增強(qiáng)附著力和附著力，同時去除有機(jī)物、油污或油脂。

電暈加工：電暈噴槍產(chǎn)生的高溫高速射流可用于焊接、堆焊、噴涂、切割、加熱切割等機(jī)械加工。電暈弧焊比鎢極氬弧焊快得多。1965年問世的微電暈弧焊接，電暈機(jī)輸出電壓是多少伏焊炬尺寸僅為2～3毫米，可用于加工非常精細(xì)的工件。電暈弧堆焊可在零件上堆焊耐磨、耐腐蝕、耐高溫合金，用于加工各種特殊閥門、鉆頭、刀具、模具、機(jī)軸等。

電暈表面活化/清洗；2.電暈處理后的粘接；3.電暈刻蝕/活化；4.電暈脫膠；5.電暈涂層（親水性、疏水性）；6.增強(qiáng)結(jié)合；7.電暈涂層；8.電暈灰化和表面改性。通過電暈的處理，電暈機(jī)輸出功率6kw可以提高材料表面的潤濕性，對各種材料進(jìn)行涂層和電鍍，增強(qiáng)附著力和結(jié)合力，同時去除有機(jī)污染物、油污或油脂。

電暈機(jī)輸出功率6kw

化學(xué)反應(yīng)中常用的氣體有氫氣(H2)、氧氣(O2)、甲烷(CF4)等，這些氣體在電暈中反應(yīng)成高活性自由基，而當(dāng)引入反應(yīng)性氣體時，會在活化的數(shù)據(jù)表面產(chǎn)生復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)，并引入新的官能團(tuán)，如烴基、氨基、羧基等，這些官能團(tuán)都是活性基團(tuán)，可以明顯提高數(shù)據(jù)表面的活性。特別是某些工件工序需要物理和化學(xué)雙重作用，這個時間的頻率應(yīng)為13.56MHz系列。

硅晶棒經(jīng)過切割、軋制、切片、倒角、拋光、激光雕刻、封裝等工序，成為集成電路工廠的基礎(chǔ)原材料--硅片，被稱為“晶圓”。(C)晶圓的基本原料硅用石英砂精制，硅片用硅元素提純（99.999%）。然后，這些純硅被制成硅晶棒，成為制造集成電路石英半導(dǎo)體的材料。經(jīng)過照相制版、研磨、拋光、切片等工序，多晶硅從單晶硅晶棒中熔化拉出，再切割成薄片。

低溫電暈可將氣體分子解離或分解為化學(xué)活性成分，與襯底固體表面反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，再由真空泵抽走。通常有四種材料必須蝕刻：硅（雜化硅或非雜化硅）、電介質(zhì)（如SiO2或SiN)、金屬（通常是鋁和銅）和光刻膠。每種材料的化學(xué)性質(zhì)不同。低溫電暈刻蝕是一種各向異性刻蝕工藝，可以保證刻蝕圖形的準(zhǔn)確性、特定材料的選擇性和刻蝕效果的均勻性?；钚曰鶊F(tuán)的電暈刻蝕和物理刻蝕同時發(fā)生。

電暈機(jī)輸出電壓是多少伏