四: 氧化物-oxide半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會妨礙半導(dǎo)體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。這層氧化薄膜的去除常采用稀氫氟酸浸泡完成。等離子清洗機在半導(dǎo)體晶圓清洗工藝上的應(yīng)用等離子體清洗具有工藝簡單、操作方便、沒有廢料處理和環(huán)境污染等問題。但它不能去除碳和其它非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質(zhì)。

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由于設(shè)備數(shù)量有限,安徽rtr型真空等離子清洗設(shè)備說明書出廠前薄膜的最大系數(shù)通常為42達因以下,電暈處理只是對薄膜表面造成物理損傷。它會發(fā)生變化,并且這種變化會隨著時間而變化(達因值下降),因此當您在印刷廠實際使用實際膠片時,膠片表面的達因值可能會下降到 40 達因或更低。

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