選用低溫等離子體清洗技術(shù)，icp 刻蝕 批量生產(chǎn)設(shè)備對(duì)材料表面進(jìn)行表面處理，在高速、高能等離子體的轟擊下，在材料表面形成活性層，使橡膠材料、塑料印刷、粘接、涂覆等工作。plasma-plastic-rubber表面處理操作簡(jiǎn)單,修改只有發(fā)生在表層上的材料,不影響矩陣的固有屬性,和治療是均勻的;沒(méi)有有害氣體出現(xiàn)之前和之后的治療,治療(效果)好果子,效率高、運(yùn)營(yíng)成本低。

等離子處理機(jī)廣泛應(yīng)用于等離子清洗、等離子蝕刻、icp、晶圓到橡膠涂層、icp、灰化活化和等離子表面處理等。通過(guò)等離子表面處理的優(yōu)點(diǎn)，icp 刻蝕 批量生產(chǎn)設(shè)備可以提高表面潤(rùn)濕能力，使各種材料可以進(jìn)行涂覆、電鍍等操作，增強(qiáng)粘接強(qiáng)度和結(jié)合力，還可以去除有機(jī)污染物、油污或潤(rùn)滑脂。應(yīng)用于鏡面、涂層預(yù)處理的等離子清洗功能;表面改性處理。

我們積極配合客戶通過(guò)使用低溫等離子表面處理技術(shù)開(kāi)展研究電影合成醫(yī)用高分子材料表面改性和表面,并解決關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題的抗凝等高分子材料,生物相容性,表面親水性,anti-calcification,細(xì)胞吸附和生長(zhǎng)，icp 刻蝕以及芷抑制。如果你愿意的話想了解更多關(guān)于低溫等離子表面處理設(shè)備的詳細(xì)信息，或者對(duì)設(shè)備的使用有疑問(wèn)，請(qǐng)點(diǎn)擊在線客服，等待您的來(lái)電!。

新研制的等離子體蝕刻機(jī)可完成6英寸和8英寸晶圓的刻蝕，icp 刻蝕包括刻蝕RIE和ICP。蝕刻材料包括多晶硅、單晶硅、二氧化硅/Ti/W/Si3N4等。12月8日至10日的深圳展會(huì)將是重點(diǎn)展會(huì)。如果您有時(shí)間，歡迎來(lái)到深圳寶安展覽館!這說(shuō)明我們公司的產(chǎn)品比一般企業(yè)的好。更多詳情請(qǐng)點(diǎn)擊鏈接:/ CPZX /list.html長(zhǎng)期與行業(yè)龍頭企業(yè)保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系。

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對(duì)于電子行業(yè)生產(chǎn)加工的電子元件，線路板潔凈度非常高且嚴(yán)格無(wú)充電放電。等離子體表面處理不僅可以達(dá)到高潔凈度的清洗要求，而且處理過(guò)程是完全無(wú)電位的過(guò)程，即在等離子體處理過(guò)程中，對(duì)線路板沒(méi)有電位差而引起放電。在鉛鍵合方面，等離子體技術(shù)可用于有效地預(yù)處理易損元件，如硅片、液晶顯示器或集成電路(ics)。大氣等離子體設(shè)備在這方面的技術(shù)應(yīng)用是非常成熟和穩(wěn)定的。。

封裝的集成電路也可以提供遠(yuǎn)離芯片的頭部傳輸，在某些情況下，還可以提供圍繞芯片本身的線框。如果IC芯片內(nèi)部有線框，芯片和線框之間的電氣連接就是連接焊盤(pán)并將其焊接到封裝上。等離子體加工技術(shù)在IC芯片制造領(lǐng)域是一項(xiàng)成熟的、不可替代的技術(shù)。無(wú)論是芯片離子注射、晶體電鍍還是低溫等離子體表面處理設(shè)備，部分都可以超凈化，如去除氧化膜、有機(jī)物、掩膜等，以增加濕度。

通過(guò)等離子體處理，將特定的加工工藝轉(zhuǎn)化為高效、經(jīng)濟(jì)、環(huán)保的先進(jìn)加工技術(shù)。。等離子體激活劑處理后，材料出現(xiàn)四個(gè)變化來(lái)解決表面粘接問(wèn)題:等離子體激活劑處理材料的主要功能是:1。表面刻蝕在等離子體的作用下，材料表面的一些化學(xué)鍵斷裂，形成小分子產(chǎn)物或被氧化成CO、CO:等，使材料表面變得不平整，粗糙度增加。表面活化與清潔在等離子體激活劑等離子體的作用下，耐火塑料表面出現(xiàn)一些活性原子、自由基和不飽和鍵。

(2)等離子表面處理器等離子清洗機(jī)通道穿孔腐蝕由于具有極高的縱橫比，對(duì)數(shù)十對(duì)SiO2/Si3N4薄膜的刻蝕提出了巨大的挑戰(zhàn)。參考標(biāo)準(zhǔn)邏輯過(guò)程中，接觸孔深寬比一般為4-7，而三維NAND的接觸孔深寬比一般在10以上，并隨著控制網(wǎng)格層數(shù)的增加而增大。因此，等離子體表面處理器蝕刻機(jī)制造商開(kāi)發(fā)了HAR蝕刻技術(shù)來(lái)滿足3D NAND工藝的要求。通常使用電容耦合等離子體蝕刻(CCP)來(lái)完成這一過(guò)程。

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提高纖維或織物的吸濕性和潤(rùn)濕性:通過(guò)在低溫等離子體中對(duì)激發(fā)態(tài)的各種高能粒子進(jìn)行物理刻蝕和化學(xué)反應(yīng)，icp 刻蝕或通過(guò)等離子體、親水性基團(tuán)、可在紡織纖維表面生成或引入支鏈和側(cè)基，從而有效提高紡織品的吸濕性和潤(rùn)濕性。目前主要應(yīng)用于憎水滌綸復(fù)合纖維織物、滌/棉混紡交織、棉紗、腈綸等紡織品。此外，通過(guò)低溫等離子體技術(shù)，碳纖維、聚乙烯纖維、聚丙烯纖維和聚四氟乙烯纖維的潤(rùn)濕性也得到了很大的提高。

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