冷等離子發(fā)生器工藝處理適用于10大行業(yè)材料的表面處理。表面活化處理以增加樣品的親水性。 2. 進行表面活化處理，等離子蝕刻機產生的氣體通過在處理中加入特殊氣體，表現(xiàn)出疏水效果。 3、雙氣路和多氣路可單獨控制。二、低溫等離子發(fā)生器的性能特點： 1.清潔金屬、玻璃、硅片、陶瓷、塑料和聚合物表面（石蠟、油、脫模劑、蛋白質等）上的有機污染物。 2.改變材料的表面特性。

采用低溫等離子技術對這種原材料進行表面處理，二氧化硅等離子蝕刻設備這種原材料的表面在高速、高能等離子體的沖擊下表現(xiàn)出它的特性。在材料表面形成一層活性層，可以對陶瓷、橡膠和塑料進行印刷、粘合和粘合。冷等離子發(fā)生器：金屬陶瓷、塑料、橡膠、玻璃等表面常出現(xiàn)有機層和氧化層。當油漆粘合和連接時，需要等離子處理以獲得完全清潔、非氧化的表面。

這是因為一些團聚形成的大顆粒在放電過程中被分離出來，二氧化硅等離子蝕刻設備使AP顆粒攜帶相同的電荷并相互排斥，從而使AP顆粒分離。與超細AP相比，超細AP的親水性明顯降低。這是因為在用低溫等離子發(fā)生器技術加工超細AP的過程中，通過電離產生含氮基團，含氮化合物覆蓋在超細AP粉體表面形成疏水層，防止其發(fā)生。 .濕氣侵入人體引起。它可能是一個超細的AP。處理后表面能增加，吸水能力增加，超細AP處理后疏水性增加。

實驗結果表明，二氧化硅等離子蝕刻設備在電暈放電等離子清潔器的作用下，CH4和二氧化碳的復合反應與直流正電暈放電所獲得的反應物的轉化率相比，具有更高的反應物轉化率，H2的選擇?？梢垣@得性別和一氧化碳的選擇性。 ，其次是交流電暈，低直流負電暈。馬里縮酮。還有杰塞雷塔爾。分別在脈沖電暈等離子體和無聲放電等離子體條件下實現(xiàn)了CO2復合CH4反應。

二氧化硅等離子蝕刻設備

直接法是在CH4和二氧化碳步驟中制備C2烴，反應可以在微波、流柱放電和高頻等離子體的作用下實現(xiàn)。 LIU 采用流柱發(fā)射泡沫，以 HE 作為平衡氣體（占總氣體流量的 60%-80%）在特定發(fā)射功率下，取決于二氧化碳與 CH4 的摩爾比差異。甲烷轉化率20%～80%，二氧化碳轉化率8%～49%，C2烴收率20%～45%。在等離子清洗機的作用下，CH4和二氧化碳直接轉化，一步制取C2烴。

該反應的主要 C 烴產物是 C2H2 和 C2H6，它們增加了等離子體輸出。生成 C2H2 是有利的。等離子清洗機實現(xiàn)了二氧化碳氧化CH生成C2烴的反應，甲烷轉化率為31%，二氧化碳轉化率為24%，C2烴選擇性為64%。

在這個過程中，等離子體也會產生高能紫外線。它與快速產生的離子和電子一起，提供破壞聚合物鍵和觸發(fā)表面化學反應所需的能量。這種化學過程只涉及材料表面的幾個原子層，不會改變聚合物的整體性質。選擇正確的反應氣體和工藝參數有助于某些反應，形成特殊的聚合物沉積物和結構?？梢赃x擇反應物以使等離子體與襯底反應以形成揮發(fā)性沉積物。

用Ar和O2氣體產生的低溫等離子體處理氧化鋯表面后，氧化鋯表面的碳元素顯著減少，氧元素顯著增加，導致表面能和潤濕性增加氧化鋯。使用等離子技術處理氧化鋯表面后，潤濕性得到改善。測量氧化鋯表面與水的接觸角，接觸角越小，潤濕性越好。等離子處理10秒后，氧化鋯樣品的表面接觸角與對照組相比顯著降低。這些結果表明等離子體處理提高了氧化鋯表面的潤濕性和親水性。

二氧化硅等離子蝕刻設備

揮發(fā)性化合物隨工作氣體排出，等離子蝕刻機產生的氣體達到清洗的目的。清洗低溫等離子處理器是利用等離子中各種高能物質的活化作用，將附著在物體表面的污垢完全分離出來。低溫等離子加工機清洗的特點之一是物體表面經過等離子處理后，會產生許多新的活性基因，激活物體表面并改變其性能，以及物體表面的潤濕性和附著力。目的。許多材料的重要焦點。因此，清洗低溫等離子處理器是濕法清洗等許多有機溶劑無法比擬的。

通過在纖維樁表面引入含氧基團，二氧化硅等離子蝕刻設備增強了表面的化學鍵合作用，使氧自由基和樹脂材料等表面活性組分參與化學反應，提高了鍵合強度。纖維柱。。冷等離子加工設備——清洗板材表面不改變坯體性能。小編對比了很多關于等離子的相關知識，發(fā)現(xiàn)低溫等離子加工設備的使用有以下幾個方面：恒溫等離子處理設備有清潔和腐蝕的例子。在此過程中，O2通過加速電子與氧離子和自由基發(fā)生碰撞，常被用作具有強氧化性的工作氣體。