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廣東直銷等離子清洗機腔體規(guī)格尺寸齊全
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等離子清洗機設(shè)備蝕刻后硅鍺溝槽界面對西格瑪型溝槽形狀及硅鍺外延生長的影響： 眾所周知，等離子清洗機設(shè)備硅的干法蝕刻過程中會產(chǎn)生大量的高分子副產(chǎn)物。圖形密集區(qū)反應(yīng)總量大，因此副產(chǎn)物容易聚集。在圖形硅片實驗中，圖形密集區(qū)厚重的蝕刻副產(chǎn)物導(dǎo)致深度相比圖形稀疏區(qū)淺。這樣的深度差異在TMAH處埋工藝后，會變得更加明顯，甚至導(dǎo)致無法形成正常形狀的西格瑪型硅溝槽。
針對IC封裝的引線結(jié)構(gòu)放電、芯片鍵合、塑封的預(yù)清洗工藝，大大提高了粘合性能和鍵合強度，避免了長時間接觸引線結(jié)構(gòu)的人為因素造成的二次污染時間是避免增加。長時間批量清潔型腔會損壞刀片。對于體積大、搬運不靈活的汽車零部件，減少搬運環(huán)節(jié)，降低人員工作強度。在線等離子清洗機的主要結(jié)構(gòu)包括材料擠壓結(jié)構(gòu)上下料、材料設(shè)置和再生通道上下料、正向系統(tǒng)上下料、傳動系統(tǒng)上下料、材料去除。包括組織上下料、反應(yīng)室。
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