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3D時(shí)代刻蝕技術(shù)的創(chuàng)新固然重要,但等離子清洗機(jī)刻蝕機(jī)的穩(wěn)定性和缺陷控制能力也很重要,因?yàn)檫@些會(huì)直接影響量產(chǎn)的質(zhì)量和進(jìn)度,尤其是在這個(gè)日新月異的時(shí)代,失去先機(jī)就可能失敗。如上所述,EED-I蝕刻技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)在各種機(jī)器上商業(yè)化,并在3D半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)上占有一席之地。EED方向的學(xué)術(shù)改進(jìn)包括串聯(lián)ICP(串聯(lián))和中性粒子束刻蝕,利用脈沖產(chǎn)生負(fù)離子,然后通過(guò)束流能量控制區(qū)。但后者的遴選比例是一個(gè)薄弱環(huán)節(jié)。

其中,固態(tài)顆粒組合致密,液態(tài)顆粒次之,氣態(tài)顆粒分散。將物質(zhì)轉(zhuǎn)化為致密分散的聚合物狀態(tài)需要額外的動(dòng)能來(lái)破壞原始粒子之間較大的結(jié)合能。同樣,當(dāng)物質(zhì)處于氣態(tài)時(shí),日冕等離子體處理器繼續(xù)提供動(dòng)能,形成氣態(tài)物質(zhì)粒子電離形成等離子體。。電暈等離子體處理器的歷史發(fā)展:電暈等離子體處理器發(fā)現(xiàn)于1879年,1928年被稱為“等離子體”。

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