去除光學和半導體元件表面的光刻膠材料，金屬和金屬親水性排序去除金屬材料表面的氧化物。半導體零件、印刷線路板、ATR零件、人造石英、天然石英和珠寶的清洗。使用凝膠沉積物清潔生物芯片、微流控芯片和基板。修飾聚合物材料的表面。封裝領(lǐng)域的清洗和改性，以增強其附著力，適用于直接封裝和綁定。提高用于粘合光學元件、光纖、生物醫(yī)學材料、航空航天材料等的粘合劑的粘合性和強度。

2.金屬脫脂清洗金屬表面上經(jīng)常存在油脂、油漬和氧化層等有機物質(zhì)。在濺射、噴漆、涂膠、涂膠、焊接、釬焊、PVD、CVD涂層之前，金屬和金屬親水性排序您需要執(zhí)行以下操作：等離子處理用于獲得完全清潔、無氧化物的表面。焊接操作前：印刷電路板通常在焊接前用化學助焊劑處理。這些化學物質(zhì)必須在焊接完成后通過等離子方法去除。否則會出現(xiàn)腐蝕等問題。鍵合操作前：良好的鍵合通常會因電鍍、鍵合和焊接操作的殘留物而減弱。

印刷電路板制造商使用等離子蝕刻系統(tǒng)對孔中的絕緣導體進行去污和蝕刻。對于許多產(chǎn)品，金屬和金屬親水性排序使用多個產(chǎn)品。在電子、航空航天和健康等行業(yè)，可靠性取決于兩個表面之間的結(jié)合強度。無論是金屬、陶瓷、聚合物、塑料還是它們的復合材料，等離子加工設(shè)備都可以提高附著力，提高產(chǎn)品質(zhì)量。等離子處理設(shè)備改變表面的能力是（安全的）、環(huán)保和經(jīng)濟的。這是解決許多行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)的可行解決方案。

清洗方法在以下反應(yīng)方程式和圖 1、2 和 3 中有詳細說明。 2.1 化學清洗 表面反應(yīng) 基于化學反應(yīng)的等離子清洗。例1：從O2+E-→2O*+E-O*+有機物->CO2+H2O反應(yīng)式可以看出，金屬親水性的發(fā)現(xiàn)者氧等離子體可以通過化學反應(yīng)將非揮發(fā)性有機物轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性H2O和CO2。例2：從H2+E-→2H*+EH*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O反應(yīng)式可以看出，氫等離子體可以去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。

金屬親水性的發(fā)現(xiàn)者

成功金屬化孔的電路板。最大的困難是在化學銅沉積之前預處理 PTFE 活化。這也是最重要的一步。在化學鍍銅之前可以采用多種方法對PTFE材料進行活化，但總的來說，主要有兩種方法可以保證產(chǎn)品質(zhì)量并適合批量生產(chǎn)。 (一)化學處理法金屬鈉和萘在非水溶劑如四氫呋喃或乙二醇二甲醚中反應(yīng)形成萘鈉絡(luò)合物。萘鈉處理液可以蝕刻孔隙中的聚四氟乙烯表面原子，達到潤濕孔壁的目的。

佐治亞理工的Hess研究組在2015年報道了在等離子表面處理機低溫下運用氣體等離子體蝕刻的方安對金屬銅、金和銀材料進行蝕刻。傳統(tǒng)的金屬Cu蝕刻采用的Cl2氣體等離子體在高溫下與其發(fā)生反應(yīng)生成CuCl2，并在后續(xù)工藝中清除。而Hess研究組報道了在低溫下(10℃)采用H2氣體等離子體蝕刻的方法，成功在等離子表面處理機ICP的蝕刻腔體中實現(xiàn)了Cu蝕刻。

2004年，二維結(jié)構(gòu)石墨烯的發(fā)現(xiàn)顛覆&ldquo；熱力學漲落不允許二維晶體在有限溫度下自由存在&rdquo；認知，震撼了整個物理世界，它的發(fā)現(xiàn)者&mdash；&mdash；英國曼徹斯特大學物理與天文系海姆和諾沃肖洛夫分別獲得2008年諾貝爾物理學獎提名和2010年諾貝爾物理學獎。與硅相比，石墨烯在集成電路中具有獨特優(yōu)勢。

金屬和金屬親水性排序