等離子體與器壁、電極接觸時(shí)，在交界面處會(huì)形成一個(gè)電中性被破壞的薄層， 這個(gè)偏離電中性的薄層稱為等離子體鞘，也稱為常壓大型等離子表面清洗機(jī)等離子體鞘層、鞘層的形成與等離子體屏蔽效應(yīng)密切相關(guān)，是等離子體受到擾動(dòng)時(shí)，由德拜屏蔽產(chǎn)生的空間電荷層。（plasma sheath）
等離子體鞘（plasma sheath）可以在電極或器壁表面形成，依據(jù)電極或器璧電位與等離子體電位關(guān)系，可分為離子鞘和電子鞘。電極近旁的鞘：設(shè)等離子體電位為Vp，電極電位為Vs，當(dāng)電極電位Vs與等離子體電位Vp所有一個(gè)差值時(shí)接通外電路，電極上會(huì)有電流流過，這相當(dāng)于引入一個(gè)外電勢作用于等離子體。當(dāng)VsNe)，隨著電場增強(qiáng)會(huì)在距電極一定距離的范圍內(nèi)形成由離子構(gòu)成的空間電荷層，即離子鞘。當(dāng)Vs>Vp時(shí)，電極近旁形成的電場就將吸引電子排斥離子，結(jié)果為電子密度大于離子密度(Ne>Ni)，隨著電場強(qiáng)度的增加，相應(yīng)的在距電極的一定距離范圍內(nèi) 形成由電子構(gòu)成的空間電荷層，即電子鞘。plasma sheath
浮置基板處的鞘層：當(dāng)插入等離子體的是絕緣材料，因?yàn)殡娏鞑荒芡ㄟ^，所以到達(dá)絕緣體表面的帶電粒子要么在表面處相互復(fù)合，要么返回等離子體區(qū)。在 等離子體中，由于電子的運(yùn)動(dòng)速度大于重粒子的運(yùn)動(dòng)速度，絕緣體表面會(huì)出現(xiàn)凈的負(fù)電荷積累，即表面相對(duì)于等離子體區(qū)呈負(fù)電勢。表面區(qū)的負(fù)電勢將排斥向表面運(yùn)動(dòng)的后續(xù)電子，吸引正離子，直到絕緣體表面的負(fù)電勢達(dá)到某個(gè)確定值，使離子流與電子流相等為止。這時(shí)絕緣體表面電位Vf趨于穩(wěn)定，Vf與等離子體電位之間的差值(Vp-Vf)保持定值。此時(shí)在靠近絕緣體表面存在一個(gè)空間電荷層，這個(gè)空間電荷層為離子鞘。由于等離子體中的絕緣體通常被稱為浮置基板，絕緣體的電位常稱為浮置電位。顯然浮置電位是一個(gè)負(fù)值，而浮置基板與等離子體交界處形成的是一個(gè)由正離子構(gòu)成的空間電荷層。因此任何絕緣體，包括反應(yīng)器壁置于等離子體中都會(huì)形成離子鞘。
等離子體鞘（plasma sheath）是等離子體重要特征之一，等離子體鞘的具體表現(xiàn)與體系溫度T和粒子密度n密切相關(guān)。通過對(duì)鞘層的研究可以了解等離子體的一些重要性質(zhì)。