4.清洗完畢，離型膜電暈處理法切斷電源，通過真空泵抽走氣體和氣化的污物，清洗結(jié)束。真空等離子清洗機有很多優(yōu)點：如數(shù)控技術(shù)自動化程度高；具有高精度控制裝置，時間控制精度高；正確的等離子清洗不會在表面產(chǎn)生損傷層，表面質(zhì)量能得到保證；清洗工作在真空環(huán)境下進行，清洗過程環(huán)保（安全），不會對環(huán)境造成污染，有效保證清洗面不會二次污染。。

根據(jù)外加電場頻率的不同，離型膜電暈處理法氣體放電可分為直流放電、低頻放電、高頻放電、微波放電等多種類型。直流(DC)放電由于其簡單性至今仍被使用，尤其是對于工業(yè)大氣等離子體清洗裝置，可以發(fā)揮很大的功率。低頻放電的范圍一般為1~kHz，現(xiàn)在器件最常用的頻率為40kHz。目前在實驗裝置和工藝設(shè)備中使用最多的是高頻放電裝置，其頻率范圍為10～MHz。

等離子體清洗/蝕刻技術(shù)是等離子體特殊性質(zhì)的具體應(yīng)用；等離子體清洗/蝕刻機的裝置是將兩個電極布置在密封的容器中形成電場，離型膜電暈機pet原膜除塵裝置用真空泵實現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體越來越稀薄，分子之間的距離以及分子或離子的自由運動距離越來越長，在電場的作用下，碰撞形成等離子體，這些離子具有很高的活性，其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，在任何暴露的表面上引起化學(xué)反應(yīng)。不同氣體的等離子體具有不同的化學(xué)性質(zhì)。

即使在氧氣或氮氣等非活性氣氛中，離型膜電暈機pet原膜除塵裝置等離子體處理在低溫下仍能產(chǎn)生高活性基團。在這一過程中，等離子體還會發(fā)射高能紫外線，與產(chǎn)生的快離子和電子一起，提供打破聚合物鍵合鍵所需的能量，產(chǎn)生表面化學(xué)反應(yīng)。只有材料表面的幾個原子層參與這一化學(xué)過程，聚合物的本體性質(zhì)才能保持不變。選擇合適的反應(yīng)氣體和工藝參數(shù)可以促進特定的反應(yīng)，形成不尋常的聚合物附著和結(jié)構(gòu)。。

離型膜電暈處理法

實驗表明，在晶圓生產(chǎn)光敏樹脂帶的過程中，使用微波等離子體表面處理儀器不會對腔體和腔門產(chǎn)生氧化損傷反應(yīng)，被清洗物體的表面物質(zhì)會變成顆粒和氣體物質(zhì)，并將其抽空，達到清洗的目的。微波放電是化學(xué)鍍放電，防止了濺射造成的污染，因此可以獲得密度更高的均勻純凈等離子體。適用于高純度物質(zhì)的制備和處理，具有較高的技術(shù)效率。通過操作控制系統(tǒng)設(shè)置技術(shù)參數(shù)，控制微波電離的強度和密度，以整合清洗件的不同技術(shù)標準。

在拉拔轉(zhuǎn)印過程中，粘貼干膜的印刷電路板通過曝光后，需要進行固定蝕刻，去除未被濕膜保護的區(qū)域，用顯影液對未曝光的濕膜進行蝕刻，使未曝光的濕膜被蝕刻掉。在這類定影過程中，由于定影筒噴嘴壓力不均勻，導(dǎo)致局部未曝光程度的濕膜未完全溶解，形成殘留物。在細線生產(chǎn)中，更容易出現(xiàn)這種情況，刻蝕后會造成短路。等離子體處理能很好地去除濕膜殘留物。

對于形狀復(fù)雜的襯底，如表面有小的有效溝槽或螺紋，在復(fù)雜形狀附近等離子體參數(shù)的分布會有所不同，導(dǎo)致其周圍電場發(fā)生變化，進而改變該區(qū)域的離子濃度和離子轟擊能量。如果采用常規(guī)等離子體滲氮，鞘層中的離子碰撞會更加頻繁，導(dǎo)致離子的能量下降（低），因此難以激發(fā)（活化）氧化物較多的金屬表面，如不銹鋼。這種復(fù)雜的襯底形狀也會導(dǎo)致區(qū)域溫度過熱，氮化特性也會有別于其他襯底。

由表3-3可知，C2H6和CO2的轉(zhuǎn)化率分別為33.8%和22.7%，C2H4和C2H2的總收率為12.7%。負載型稀土氧化物催化劑(La2O3/Y-Al2O3和CeO2/Y-Al2O3)引入反應(yīng)體系后，C2H6的轉(zhuǎn)化率、C2H4的選擇性和產(chǎn)率、C2H2的選擇性和產(chǎn)率均有所提高，而CO2的轉(zhuǎn)化率略有下降。

離型膜電暈機pet原膜除塵裝置