在頂部，吉林在線式等離子清洗機廠家如果偏移側壁的厚度不足以保護多晶硅，在隨后的硅鍺外延生長中，硅鍺外延可以在多晶硅頂部生長，形成缺陷，導致器件失效。會更高。當多晶硅的極限尺寸小于硬的。使用掩模膜可以大大降低出現(xiàn)此類缺陷的可能性，從而提高產(chǎn)量。同樣，如果多晶硅在刻蝕后出現(xiàn)嚴重的底部長腿，那么在PSR刻蝕中底部偏移的側壁間隔也會消耗更多，后續(xù)的硅鍺外延會在多晶硅底部生長。硅鍺缺陷。
用于硅研究的等離子等離子處理 等離子蝕刻 用于硅研究的等離子等離子處理 等離子蝕刻：硅蝕刻技術廣泛用于微電子技術。例如，吉林在線式等離子清洗機廠家高密度 DRAMIC 制造 MEMS 中的器件隔離溝槽或垂直電容器。目前，蝕刻單晶硅主要有兩種方法。一種是濕法。濕法蝕刻方法有其自身的局限性，例如使用大量有毒化學物質(zhì)，并且操作起來不夠安全。由于浸沒導致的橫向滲透和膨脹導致附著力差，并且底切會降低分辨率，這正在逐漸被干法蝕刻所取代。
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