刻蝕是移除晶圓外表資料，隧道內(nèi)附著力減少使其到達(dá)集成電路設(shè)計(jì)要求的一種工藝進(jìn)程，現(xiàn)在芯片制作工藝中廣泛運(yùn)用干法刻蝕工藝?？涛g機(jī)銷售額約占晶圓制作環(huán)節(jié)的 24%，是晶圓制作中的要害環(huán)節(jié)。 公司產(chǎn)品主要為刻蝕用單晶硅資料，用于加工成刻蝕機(jī)上的硅電極（刻蝕用單晶硅部件）。由于硅電極在硅片氧化膜刻蝕等加工工藝進(jìn)程會(huì)被逐步腐蝕并變薄，當(dāng)硅電極厚度減少到必定程度后，需替換新的硅電極，因而硅電極是晶圓制作刻蝕工藝的中心耗材。

蝕刻過程中加入可以迅速生成聚合物提供側(cè)壁保護(hù)的氣體如CHF3、N2、或CH4，隧道內(nèi)附著力減少什么意思使金屬鋁側(cè)壁上較為優(yōu)先吸附氟、氮或者碳?xì)浠衔锏姆绞剑瑏磉M(jìn)一步減少氯原子與鋁側(cè)壁接觸發(fā)生反應(yīng)，達(dá)到保護(hù)側(cè)壁，使得氯基氣體對(duì)金屬鋁的各向異性蝕刻能力更好。

克服了人工貼合時(shí)產(chǎn)生的氣泡、皺著、光暈環(huán)、水紋等缺點(diǎn)。操作簡單，隧道內(nèi)附著力減少什么意思設(shè)置簡單，等離子表面處理機(jī)，等離子處理機(jī)，常壓等離子處理機(jī)方便工廠技術(shù)員維護(hù)設(shè)備及員工操作使用設(shè)備?！　≌駝?dòng)緩沖，設(shè)備穩(wěn)定　　貼合平整，便于脫泡　　X、Y、W三軸可微調(diào)，精度易于保證　　貼合壓力可調(diào)，減少氣泡產(chǎn)生。

如圖所示，隧道內(nèi)附著力減少等離子體清洗可分為電暈等離子體清洗、輝光等離子體清洗、射頻等離子體清洗、介質(zhì)阻擋等離子體清洗、微波等離子體清洗和大氣等離子體弧清洗。低壓等離子體清洗一般采用電暈等離子體清洗、輝光等離子體清洗和射頻等離子體清洗，常壓等離子體清洗采用等離子體清洗、微波等離子體清洗和常壓等離子體電弧清洗。

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成立于2013年，是一家集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后于一體的等離子系統(tǒng)解決方案提供商。作為國內(nèi)領(lǐng)先的等離子清洗專業(yè)制造商，公司組建了專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與國內(nèi)多家頂尖高校、科研院所進(jìn)行產(chǎn)、學(xué)、研合作。同時(shí)配備完善的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，擁有多名機(jī)械、電子、化學(xué)等專業(yè)的高級(jí)工程師，在等離子體應(yīng)用和自動(dòng)化設(shè)計(jì)方面擁有多年的研發(fā)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。公司現(xiàn)擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和多項(xiàng)國家發(fā)明專利。

等離子體清洗的工作原理是將注入的氣體激發(fā)到由電子、離子、自由基、光子和其他中性粒子組成的等離子體中。由于等離子體中存在電子、離子和自由基等活性粒子，它很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。反應(yīng)類型可分為物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)，物理反應(yīng)主要以轟擊的形式使污染物離開表面，從而被氣體帶走;化學(xué)反應(yīng)是活性顆粒與污染物發(fā)生反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)并被帶走。在實(shí)際使用中，通常使用氬氣進(jìn)行物理反應(yīng)，使用o2或h2進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。

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等離子體即電離的“氣體”，它呈現(xiàn)出高度激發(fā)的不穩(wěn)定態(tài)，氣體內(nèi)部帶電粒子加速運(yùn)動(dòng)，發(fā)生碰撞，能量傳遞、電離、放電，產(chǎn)生紫外光，可見光等，激發(fā)后的粒子，能和周圍的物質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，有些反應(yīng)在常規(guī)條件下是幾乎不能發(fā)生的，因此等離子體有特殊的加工效果。 其處理過程是通過放電、高頻電磁振蕩、沖擊波及高能輻射等方法使惰性氣體或含氧氣體產(chǎn)生等離子體。

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