圖一 水平式等離子清洗機(jī)原理示意圖CCP典型放電條件：①壓強(qiáng)10Pa-100Pa；②電極間距1cm-5cm；③高頻功率20W-200W，迪高附著力促進(jìn)樹脂生成等離子體密度約為1016m-3量級(jí)CCP放電優(yōu)勢(shì)：能夠較容易生成大口徑等離子體，放電現(xiàn)象較為穩(wěn)定。

4、處理效果穩(wěn)定等離子清洗的處理效果非常均勻穩(wěn)定，迪高附著力促進(jìn)樹脂常規(guī)樣品處理后較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持效果良好。5、處理過(guò)程無(wú)需額外輔助的物品和條件大氣等離子清洗機(jī)只需要220V交流電和壓縮空氣氣源即可！無(wú)需其它額外物品和條件。 6、運(yùn)行成本低全自動(dòng)運(yùn)行，可24小時(shí)連續(xù)工作，無(wú)需人工看管，運(yùn)行功率可低至500W。

等離子體常用的激勵(lì)頻率有三種:激勵(lì)頻率為40kHz的超聲波等離子體、激勵(lì)頻率為13.56MHz的射頻等離子體和激勵(lì)頻率為2.45GHz的微波等離子體。不同等離子體產(chǎn)生的自偏置是不同的。超聲等離子體的自偏置在1000V左右，迪高附著力促進(jìn)樹脂射頻等離子體的自偏置在250V左右，微波等離子體的自偏置很低，只有幾十伏特，三種等離子體的機(jī)理不同。

一般來(lái)說(shuō)，迪高附著力促進(jìn)劑1600高溫等離子體是由大氣壓下氣體的電暈放電和低溫等離子體產(chǎn)生的。由低壓氣體輝光放電形成。熱等離子體裝置[4]利用帶電物體的尖端（如刀形或針形尖端或狹縫電極）產(chǎn)生非均勻電場(chǎng)。電暈放電。施加的電壓和頻率、電極間距、處理溫度和時(shí)間都會(huì)影響電暈處理的效果。電壓上升 電源頻率越高，電源頻率越高，加工強(qiáng)度越高，加工量越大。

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。等離子清洗機(jī)清洗工藝已被廣泛應(yīng)用于晶圓加工、芯片封裝、傳感器、精密電子和醫(yī)療器械等領(lǐng)域，其優(yōu)點(diǎn)多多，例如不會(huì)改變材料表面特性和外觀，能夠?qū)Σ牧献龅綇氐浊逑础?/p>

等離子體的“活性”成分包括離子、電子、原子、反應(yīng)基團(tuán)、激發(fā)態(tài)核素、光子等。等離子清潔劑利用這些活性成分的特性來(lái)處理樣品表面并實(shí)現(xiàn)其清潔目標(biāo)。產(chǎn)生等離子體的條件：足夠的反應(yīng)氣體和壓力。反應(yīng)產(chǎn)物必須能夠與被清洗物體的表面高速碰撞并提供足夠的能量。反應(yīng)后產(chǎn)生的物質(zhì)必須是揮發(fā)性微量混合物，這樣才能用真空泵抽出。泵的容量和速度必須足夠大，以快速排出反應(yīng)副產(chǎn)物并補(bǔ)充反應(yīng)所需的氣體。。等離子清洗機(jī)是一種干試生產(chǎn)工藝。

在IC芯片制造領(lǐng)域，等離子清洗機(jī)加工技術(shù)是一個(gè)不可替代的成熟工藝，無(wú)論是芯片源離子注入、晶圓鍍膜，還是我們的低溫等離子表面處理設(shè)備。成果：等離子清洗機(jī)去除晶圓表面的氧化物、有機(jī)物、掩膜去除等超細(xì)化處理和表面活化，提高晶圓表面的潤(rùn)濕性。

除了氣體分子、離子和電子之外，等離子體還包含電中性原子或原子團(tuán)（也稱為自由基）。這些是由勢(shì)能激發(fā)的處于激發(fā)態(tài)的一組電中性原子。由于其短波長(zhǎng)和潛力，紫外光在等離子體與材料外表面之間的相互作用中起著重要作用。在接下來(lái)的小編中，我們將分別介紹等離子在每種情況下的作用。自由基如原子團(tuán)在材料外表面上的反應(yīng)。自由基在等離子體中起著重要的作用，因?yàn)檫@些自由基是電中性的，在等離子體中存在很長(zhǎng)時(shí)間，而且數(shù)量多于離子的數(shù)量。

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