等離子蝕刻中使用的氣體大部分是含氟氣體，二氧化硅的附著力其中主要是四氟化碳，等離子清潔劑會(huì)蝕刻這種氣體。廣泛用于晶圓制造和電路板制造。在晶圓制造行業(yè)的應(yīng)用：在晶圓制造行業(yè)，光刻機(jī)使用四氟氣體蝕刻硅片，等離子清洗機(jī)使用四氟氣體蝕刻氮化硅和光刻去除。等離子蝕刻是在晶片制造過程中使用純四氟化碳?xì)怏w或四氟化碳與氧氣結(jié)合，在微米級(jí)蝕刻氮化硅的方法。等級(jí)照片照片。
蝕刻后理想的多晶硅等離子表面處理設(shè)備輪廓是多晶硅上有硬掩模殘留物，氧化鈦和氧化硅的附著力多晶硅輪廓非常垂直。外觀與硬掩模的臨界尺寸相同。橫向蝕刻發(fā)生在多晶硅蝕刻中。如果等離子表面處理器的蝕刻工藝對(duì)硬掩模和多晶硅的蝕刻選擇性不同，多晶硅的上限將與硬掩模的上限不同。
聚合物在氮化硅上很薄，氧化鈦和氧化硅的附著力因?yàn)镾i-N鍵的能量比Si-O鍵低得多，所以Si-N鍵很容易斷裂。CHx由于放熱反應(yīng)容易與-Si-N鍵結(jié)合生成& MIDdot;CN+& MIDdot; H，因此等離子體表面清潔蝕刻反應(yīng)對(duì)氮化硅非常活躍。相反，在硅氧化膜上形成非常厚的聚合物會(huì)阻止反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行。一般情況下，通過工藝優(yōu)化可以獲得大于10的選擇比。表3.8列出了不同c/F比下介質(zhì)層和硅的蝕刻速率、選擇比和均勻度。
一是選用 氬氣/氧氣 組合，氧化鈦和氧化硅的附著力主要面向非金屬材料并且要求較高的處理效果時(shí)采用。 二是選用 氬氣/氮?dú)?組合，主要面向待處理產(chǎn)品有不能被處理的金屬區(qū)域，因氧氣的強(qiáng)氧化作用，替換為此方案中的氮?dú)夂?，該問題可以加以控制。三是只采用氬氣的情況，只采用氬氣也可以實(shí)現(xiàn)表面改性，但是效果相對(duì)較低。此種情況較特殊，是少數(shù)工業(yè)客戶需要有限度的同時(shí)均勻的表面改性時(shí)采用的方案。
二氧化硅的附著力
例如，金屬材料、半導(dǎo)體材料、金屬氧化物或復(fù)合材料(如聚丙烯酸(PE)、聚苯乙烯(PE)、聚四氟乙烯(PE)、聚丙烯腈(PE)、聚醚(PE)、聚醚樹脂(PE))均可用于保持表面良好的輔助。深圳市等離子設(shè)備有限公司是一家專業(yè)從事等離子設(shè)備產(chǎn)品研發(fā);制造;營(yíng)銷銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。
電漿處理設(shè)備6大處理效果可應(yīng)用于 +行業(yè)提升產(chǎn)品性能： 在金屬表面經(jīng)常有油脂、油類及其他有機(jī)物和氧化物層，濺射，涂料，粘合劑，粘結(jié)，焊接，釬焊，涂層，需要處理的等離子體，表面清洗綠色環(huán)保。表面電漿處理設(shè)備處理具有下列效果。
等離子清洗機(jī)對(duì)玻璃表面的清洗, 除了機(jī)械作用外, 更主要是活性氧的化學(xué)作用, 等離子中激發(fā)態(tài)的Ar*, 使氧分子激發(fā)為激發(fā)態(tài)氧原子高能量電子撞擊氧分子使其分解, 形成激發(fā)態(tài)氧原子沾污的潤(rùn)滑油與硬脂酸主要成分為碳?xì)浠衔? 這些碳?xì)浠衔餅榛钚匝跛趸? 生成二氧化碳和水從而將油脂從玻璃表面上除去。 玻璃手機(jī)面板在化學(xué)鋼化前的清洗過程是很復(fù)雜的。
等離子體清洗過程可以獲得真正的清潔,%與等離子體清洗相比,水清洗通常是一個(gè)稀釋過程,與二氧化碳清洗技術(shù)相比,等離子體清洗不需要使用其他材料,與噴砂清洗相比,等離子體清洗可以完整的處理材料的表面結(jié)構(gòu),而且不只是表面突出，可在線集成，無需額外空間，運(yùn)行成本低，預(yù)處理工藝環(huán)保。等離子清洗機(jī)的優(yōu)點(diǎn):1。環(huán)保技術(shù)，等離子體作用過程為氣固共格反應(yīng)，不消耗水資源，無需添加化學(xué)藥劑，對(duì)環(huán)境無污染。
氧化鈦和氧化硅的附著力
3.激光鉆孔用激光可以鉆微細(xì)的通孔,用于柔性印制板鉆通孔的激光鉆孔機(jī)有受激準(zhǔn)分子激光鉆機(jī)、沖擊式二氧化碳激光鉆機(jī)、YAG(釔鋁石榴石)激光鉆機(jī)、氬氣激光鉆機(jī)等。沖擊式二氧化碳激光鉆機(jī)僅能夠?qū)牡慕^緣層進(jìn)行鉆孔加工,而 YAG 激光鉆機(jī)可以對(duì)基材的絕緣層和銅箔進(jìn)行鉆孔加工,鉆絕緣層的速度要明顯比鉆銅箔的速度快,僅用同一種激光鉆孔機(jī)進(jìn)行所有的鉆孔加工生產(chǎn)效率不可能很高。
