提高復(fù)合材料的表面涂層性能:復(fù)合材料的成型過(guò)程需要使用脫模劑，有機(jī)硅表面附著力以保證固化后能有效地與模具分離。然而，使用脫模劑難免會(huì)使復(fù)合材料膜表面殘留過(guò)量脫模劑，造成待涂表面的污染，界面層薄弱，使涂層在涂裝后容易脫落。傳統(tǒng)的清洗方法是用丙酮等有機(jī)(機(jī))溶劑擦拭表面或打磨后清洗表面，以去除殘留在復(fù)合件表面的脫模劑。

首先，對(duì)有機(jī)硅表面的附著力真空泵開(kāi)始抽吸等離子清洗室內(nèi)的空氣，在等離子清洗室內(nèi)形成真空環(huán)境。隨著氣體越來(lái)越稀薄，分子內(nèi)力越來(lái)越小，分子間距和分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離越來(lái)越長(zhǎng)。接下來(lái)，打開(kāi)氬氣控制閥并用氬氣填充等離子清洗室。整個(gè)等離子清洗室充入氬氣，電極通電，氬氣在電場(chǎng)作用下碰撞，形成等離子分解離子。由氬等離子體產(chǎn)生的離子以足夠的能量與芯片表面碰撞，從而與有機(jī)和顆粒污染物發(fā)生反應(yīng)或碰撞，從而形成去除表面的揮發(fā)性物質(zhì)。

多系統(tǒng)技術(shù)可用于防止容易發(fā)生的半導(dǎo)體特性的電氣損壞和靜電問(wèn)題。此外，對(duì)有機(jī)硅表面的附著力由于可以根據(jù)硅晶片的尺寸產(chǎn)生大氣壓等離子體，因此即使是最小的等離子體也可以使用。。一般來(lái)說(shuō)，等離子清洗機(jī)的清洗過(guò)程可以分為兩個(gè)過(guò)程。一般來(lái)說(shuō)，等離子清洗機(jī)的清洗過(guò)程可以分為兩個(gè)過(guò)程。過(guò)程 1 是首先使用等離子體原理去除有機(jī)物。當(dāng)O在激活氣體分子后使用時(shí)，O3通過(guò)與有機(jī)物反應(yīng)達(dá)到去除有機(jī)物的目的。

表面清潔的解決方法，有機(jī)硅表面附著力采用射頻電源，在真空等離子體空腔中產(chǎn)生高能、無(wú)序等離子體，借助等離子轟擊被清理的設(shè)備表面，使表面的污染物從設(shè)備上脫落，從而達(dá)到清理目的。另外，還有一些特殊氣體，如四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)等，這些氣體在等離子表面處理器中的使用對(duì)有機(jī)物質(zhì)的蝕刻和去除更為重要。。

對(duì)有機(jī)硅表面的附著力

氧氣為高活性氣體，可有效地對(duì)有機(jī)污染物或有機(jī)基材外表進(jìn)行化學(xué)分解，但其粒子相對(duì)較小，斷鍵和炮擊才能有限，如加上必定份額的氬氣，那么所發(fā)生的等離子體對(duì)有機(jī)污染物或有機(jī)基材外表的斷鍵和分解才能就會(huì)更強(qiáng)，加速清洗和活化的功率。氬氣與氫氣混合運(yùn)用在打線和打鍵工藝中，除添加焊盤(pán)粗糙度外，還可以有效去除焊盤(pán)外表的有機(jī)污染物，一起對(duì)外表的細(xì)微氧化進(jìn)行還原，在半導(dǎo)體封裝和SMT等職業(yè)中被廣泛運(yùn)用。

由于氬分子的尺寸比較大，在表面清洗和活化過(guò)程中，在比較電離后產(chǎn)生的粒子后，通常會(huì)與活性氣體混合。最常見(jiàn)的是氬氣和氧氣的混合物。氧氣是一種高反應(yīng)性氣體，可以有效地化學(xué)分解有機(jī)污染物和有機(jī)基材表面，但其顆粒相對(duì)較小，破壞鍵和沖擊的能力有限。加入一定比例的氬氣，增加了生成的等離子體對(duì)有機(jī)污染物或基材表面的化學(xué)鍵和破壞的能力，加快了清洗和活化的效率。

等離子體制造商介紹鍺在集成電路中的潛在應(yīng)用及其刻蝕方法（下）：從筆者的認(rèn)知來(lái)看，高活性蝕刻氣體的使用似乎更為關(guān)鍵，無(wú)論是氯氣的增加還是CHF3的使用都會(huì)加速金屬構(gòu)件的蝕刻。但轟擊偏壓的影響并不關(guān)鍵，除了關(guān)鍵尺寸的差異外，高低偏壓下的形貌差異并不明顯。

　　真空等離子清洗機(jī)的氣路操控首要由工藝氣體操控和真空氣路操控兩大部分組成。工藝氣體操控部分常用操控閥有真空電磁閥、止逆閥(止回閥)、氣動(dòng)球閥。真空氣路操控部分常用操控閥有高真空氣動(dòng)擋板閥、手動(dòng)高真空角閥、電磁真空帶充氣閥。

有機(jī)硅表面附著力

在大氣壓等離子體處理機(jī)中，對(duì)有機(jī)硅表面的附著力等離子體的電子溫度僅為1～10eV，因此對(duì)電離輻射和復(fù)合電離輻射起主要刺激作用。激發(fā)態(tài)電離輻射是被激發(fā)態(tài)粒子轉(zhuǎn)移到被激發(fā)態(tài)原子的低激發(fā)態(tài)或基體態(tài)時(shí)的電離輻射。輻射躍遷前后，電子激發(fā)的電離輻射處于束縛態(tài)，電離輻射激發(fā)頻率由兩種能量的能量差決定?；旌想婋x輻射是指自由電子被離子俘獲，合成低價(jià)離子或中性離子發(fā)射電磁波的過(guò)程。電子在復(fù)合輻射躍遷過(guò)程中由自由態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槭`態(tài)。

現(xiàn)低溫等離子體廣泛應(yīng)用于多種生產(chǎn)領(lǐng)域。 在使用等離子去膠機(jī)（等離子清洗機(jī)）中，有機(jī)硅表面附著力我們都知道，去膠氣體為氧氣。把需要清洗的晶片放入真空等離子去膠機(jī)反應(yīng)系統(tǒng)中，受高頻及微波能量效果，電離發(fā)生氧離子、游離態(tài)氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體形成輝光柱。具有強(qiáng)氧化才能的游離態(tài)氧原子在高頻電壓效果下與光刻膠膜反應(yīng)，最終完成。