由于上部金屬的尺寸小，F(xiàn)PC等離子體蝕刻通孔的深度和寬度大，填充向上電遷移結(jié)構(gòu)中的孔和向上結(jié)構(gòu)中的通孔是一個(gè)挑戰(zhàn)。填充時(shí)，過孔側(cè)壁上的金屬阻擋層不連續(xù)或不均勻，導(dǎo)致上游EM失效。由于下層中上層金屬的尺寸較大，填充通孔沒有問題，故障主要發(fā)生在通孔底部。金屬阻擋層和下面的金屬銅之間的復(fù)雜界面。趙等人。研究了通孔底部開裂空隙對下行鏈路 EM 的影響。適當(dāng)?shù)奈g刻后清洗工藝可以有效去除過孔底部的氧化銅和蝕刻殘留物，并顯著減少開裂空隙。

表 7.4 兩個(gè)關(guān)鍵縱橫比下 EM 早期失效模式的關(guān)系 是 W34.57 低 1.96 中 否 否 W44.57 低 1.75 低 否 否 通過調(diào)整蝕刻工藝保持通孔底部尺寸相同通孔斜面的開口尺寸會更大，F(xiàn)PC等離子體蝕刻機(jī)器外觀更平滑，并且可以提高向上流動(dòng)的EM而沒有其他副作用。大的圓形斜面開口有助于覆蓋通孔中的金屬阻擋層，電流密度分布比直角小開口更均勻，斜面處的電流密度梯度減小。..提高上游 EM 的性能。周等人。

前面提到過柵氧化層中TDDB的問題，F(xiàn)PC等離子體蝕刻但是LOW-K TDDB是類似的，但又大相徑庭。一是柵氧化層存在垂直斷裂，構(gòu)圖工藝步驟影響有限，而LOW-K后期一般為橫向斷裂，CDs，形貌，LWR對構(gòu)圖工藝有決定性影響。其次，銅布線中引入的 CU 化學(xué)機(jī)械拋光工藝會導(dǎo)致柵極氧化物中不存在金屬離子殘留物和水蒸氣滲透。在蝕刻和金屬阻擋濺射沉積過程中，LOW-K 也會受到等離子損傷。這也是 LOW-KTDDB 獨(dú)有的。

氬氣是一種有效的物理等離子清洗氣體，F(xiàn)PC等離子體蝕刻機(jī)器因?yàn)樗脑哟笮?，它可以以非常高的能量與產(chǎn)品表面碰撞。 Positive Argon 正離子被吸引到負(fù)極板上，并且沖擊力去除了表面上的所有污垢。這種氣態(tài)污染物被抽出。 2）氧氣：與產(chǎn)品表面的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生有機(jī)化學(xué)反應(yīng)。例如，氧氣可以合理去除有機(jī)化學(xué)污染物，與污染物反應(yīng)生成兩種。一氧化碳、一氧化碳和水。一般來說，化學(xué)反應(yīng)可以很容易地去除有機(jī)污染物。

FPC等離子體蝕刻機(jī)器

（等離子表面處理）等離子表面處理技術(shù)原理及應(yīng)用等離子，即第四種物質(zhì)的狀態(tài)，由被剝奪了部分電子的原子和原子電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成，是一種電離的氣態(tài)物質(zhì)那是組成的。 (等離子表面處理) 這種電離氣體由原子、分子、原子團(tuán)、離子和電子組成。其對物體表面的作用可以實(shí)現(xiàn)物體的超凈清洗、物體表面的活化、蝕刻、精加工、等離子表面鍍膜。

等離子體中的活性自由基通過將抗血栓形成功能基團(tuán)肝素化或接枝到材料表面上來增強(qiáng)材料表面上的有效化學(xué)鍵。材料表面改性的有效性由一系列因素決定，包括材料基材的選擇、抗血栓涂層的成分以及改性材料的使用壽命。

清潔等離子體處理器主要取決于等離子體中活性粒子的“激活”，即物體。污垢的目的。從力學(xué)的角度來看，等離子清洗一般包括以下過程：無機(jī)氣體以等離子態(tài)被激發(fā)；氣相物質(zhì)吸附在固體表面；吸附劑與固體表面分子反應(yīng)形成物體分子；產(chǎn)物分子分解形成氣相。等離子處理器清洗技術(shù)的特點(diǎn)是無論被處理的基材類型如何，都能進(jìn)行處理。烷烴、環(huán)氧樹脂，甚至聚四氟乙烯都經(jīng)過良好處理，能夠清潔一般、局部和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。請洗。

此外，由于其特殊的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)、不可磨滅的導(dǎo)電性等。石墨烯由于其出色的二維傳輸特性和高導(dǎo)電性，可用作通道材料和后端互連。當(dāng)然，不同的應(yīng)用有不同的蝕刻工藝要求。芯片制造中的石墨烯這個(gè)應(yīng)用程序有兩個(gè)難題。一是連續(xù)生長大面積、高質(zhì)量薄膜，二是圖案化方法。第二個(gè)方面與蝕刻工藝密切相關(guān)。相比之下，已經(jīng)對大面積生長進(jìn)行了大量研究，但對圖案化的研究較少。

FPC等離子體蝕刻