由于上部金屬的尺寸小，F(xiàn)PC等離子體蝕刻通孔的深度和寬度大，填充向上電遷移結(jié)構(gòu)中的孔和向上結(jié)構(gòu)中的通孔是一個挑戰(zhàn)。填充時，過孔側(cè)壁上的金屬阻擋層不連續(xù)或不均勻，導(dǎo)致上游EM失效。由于下層中上層金屬的尺寸較大，填充通孔沒有問題，故障主要發(fā)生在通孔底部。金屬阻擋層和下面的金屬銅之間的復(fù)雜界面。趙等人。研究了通孔底部開裂空隙對下行鏈路 EM 的影響。適當(dāng)?shù)奈g刻后清洗工藝可以有效去除過孔底部的氧化銅和蝕刻殘留物，并顯著減少開裂空隙。

表 7.4 兩個關(guān)鍵縱橫比下 EM 早期失效模式的關(guān)系 是 W34.57 低 1.96 中 否 否 W44.57 低 1.75 低 否 否 通過調(diào)整蝕刻工藝保持通孔底部尺寸相同通孔斜面的開口尺寸會更大，F(xiàn)PC等離子體蝕刻機器外觀更平滑，并且可以提高向上流動的EM而沒有其他副作用。大的圓形斜面開口有助于覆蓋通孔中的金屬阻擋層，電流密度分布比直角小開口更均勻，斜面處的電流密度梯度減小。..提高上游 EM 的性能。周等人。

前面提到過柵氧化層中TDDB的問題，F(xiàn)PC等離子體蝕刻但是LOW-K TDDB是類似的，但又大相徑庭。一是柵氧化層存在垂直斷裂，構(gòu)圖工藝步驟影響有限，而LOW-K后期一般為橫向斷裂，CDs，形貌，LWR對構(gòu)圖工藝有決定性影響。其次，銅布線中引入的 CU 化學(xué)機械拋光工藝會導(dǎo)致柵極氧化物中不存在金屬離子殘留物和水蒸氣滲透。在蝕刻和金屬阻擋濺射沉積過程中，LOW-K 也會受到等離子損傷。這也是 LOW-KTDDB 獨有的。

氬氣是一種有效的物理等離子清洗氣體，F(xiàn)PC等離子體蝕刻機器因為它的原子大小，它可以以非常高的能量與產(chǎn)品表面碰撞。 Positive Argon 正離子被吸引到負極板上，并且沖擊力去除了表面上的所有污垢。這種氣態(tài)污染物被抽出。 2）氧氣：與產(chǎn)品表面的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生有機化學(xué)反應(yīng)。例如，氧氣可以合理去除有機化學(xué)污染物，與污染物反應(yīng)生成兩種。一氧化碳、一氧化碳和水。一般來說，化學(xué)反應(yīng)可以很容易地去除有機污染物。

FPC等離子體蝕刻機器

（等離子表面處理）等離子表面處理技術(shù)原理及應(yīng)用等離子，即第四種物質(zhì)的狀態(tài)，由被剝奪了部分電子的原子和原子電離后產(chǎn)生的正負電子組成，是一種電離的氣態(tài)物質(zhì)那是組成的。 (等離子表面處理) 這種電離氣體由原子、分子、原子團、離子和電子組成。其對物體表面的作用可以實現(xiàn)物體的超凈清洗、物體表面的活化、蝕刻、精加工、等離子表面鍍膜。

等離子體中的活性自由基通過將抗血栓形成功能基團肝素化或接枝到材料表面上來增強材料表面上的有效化學(xué)鍵。材料表面改性的有效性由一系列因素決定，包括材料基材的選擇、抗血栓涂層的成分以及改性材料的使用壽命。

清潔等離子體處理器主要取決于等離子體中活性粒子的“激活”，即物體。污垢的目的。從力學(xué)的角度來看，等離子清洗一般包括以下過程：無機氣體以等離子態(tài)被激發(fā)；氣相物質(zhì)吸附在固體表面；吸附劑與固體表面分子反應(yīng)形成物體分子；產(chǎn)物分子分解形成氣相。等離子處理器清洗技術(shù)的特點是無論被處理的基材類型如何，都能進行處理。烷烴、環(huán)氧樹脂，甚至聚四氟乙烯都經(jīng)過良好處理，能夠清潔一般、局部和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。請洗。

此外，由于其特殊的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)、不可磨滅的導(dǎo)電性等。石墨烯由于其出色的二維傳輸特性和高導(dǎo)電性，可用作通道材料和后端互連。當(dāng)然，不同的應(yīng)用有不同的蝕刻工藝要求。芯片制造中的石墨烯這個應(yīng)用程序有兩個難題。一是連續(xù)生長大面積、高質(zhì)量薄膜，二是圖案化方法。第二個方面與蝕刻工藝密切相關(guān)。相比之下，已經(jīng)對大面積生長進行了大量研究，但對圖案化的研究較少。

FPC等離子體蝕刻